Справочник IGBT. HGTD8P50G1S9A

 

HGTD8P50G1S9A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HGTD8P50G1S9A
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: P
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 85 nS
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для HGTD8P50G1S9A

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HGTD8P50G1S9A Datasheet (PDF)

 6.1. Size:152K  harris semi
 hgtd8p50.pdf pdf_icon

HGTD8P50G1S9A

HGTD8P50G1,S E M I C O N D U C T O RHGTD8P50G1S8A, 500V P-Channel IGBTsMay 1996Features PackageJEDEC TO-251AA 8A, 500VEMITTER 3.7V VCE(SAT)COLLECTORGATE Typical Fall Time - 1800ns High Input Impedance(FLANGE) TJ = +150oCCOLLECTORDescriptionJEDEC TO-252AAThe HGTD8P50G1 and the HGTD8P50G1S are P-channelenhancement-mode insulated gate bipolar

Другие IGBT... HGTD7N60A4S , HGTD7N60B3 , HGTD7N60B3S , HGTD7N60C3 , HGTD7N60C3S , HGT1S2N120CNS , HGTD8P50G1 , HGTD8P50G1S , CRG60T60AK3HD , HGTG10N120BN , HGTG10N120BND , HGTG11N120CN , HGTG11N120CND , HGTG12N60A4 , HGTG12N60A4D , HGTG12N60B3D , HGTG12N60C3D .

History: TIG056BF-1E | APT50GP60JDQ2 | T0570VB25G | FGH40T70SHD | 2MBI300P-140 | CM150TU-12F | SKM50GAL12T4

 

 
Back to Top

 


 
.