STGW40H65FB - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: STGW40H65FB
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 283 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 13 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 198 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для STGW40H65FB
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
STGW40H65FB даташит
stgfw40h65fb stgw40h65fb stgwa40h65fb.pdf
STGFW40H65FB, STGW40H65FB, STGWA40H65FB Datasheet Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT Features Maximum junction temperature TJ = 175 C 3 2 3 1 2 High speed switching series 1 TO-3PF TO-247 Minimized tail current Very low saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V (typ) @ IC = 40 A Safe paralleling 3 2 1 Tight parameter distributio
stgw40h65fb.pdf
STGW40H65FB, STGFW40H65FB, STGWT40H65FB Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature TJ = 175 C 1 1 1 High speed switching series 3 Minimized tail current 2 1 Very low saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V TAB TO-3PF (typ.) @ IC = 40 A Tight parameters distribution
stgw40h65dfb.pdf
STGW40H65DFB Datasheet Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT Features Maximum junction temperature TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current Low saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A 3 2 Tight parameter distribution 1 Safe paralleling TO-247 Positive VCE(sat) temperature coefficient Lo
stgw40h60dlfb.pdf
STGW40H60DLFB, STGWT40H60DLFB Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 40 A high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature TJ = 175 C TAB High speed switching series Minimized tail current Low saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A 3 2 3 Tight parameters distribution 1 2 Safe paralleling 1 L
Другие IGBT... NGTB15N120IHWG , IHW50N65R5 , IKW50N65WR5 , STGB40V60F , STGP40V60F , STGW15M120DF3 , STGW40H60DLFB , STGW40H65DFB , MBQ50T65FDSC , STGW40V60DF , STGW40V60DLF , STGW40V60F , STGWA15M120DF3 , STGWT40H60DLFB , STGWT40H65DFB , STGWT40H65FB , STGWT40V60DF .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a | c815 transistor | ksa1381 equivalent | 2sa1306 | b817 transistor







