IRGP4263 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IRGP4263
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 90 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.7 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 100 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IRGP4263
IRGP4263 Datasheet (PDF)
irgp4263.pdf

IRGP4263PbF IRGP4263-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor CVCES = 650V IC = 60A, TC =100C E E GtSC 5.5s, TJ(max) = 175C C C G G VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 48A EIRGP4263PbF IRGP4263-EPbF n-channelTO247AC TO-247AD Applications G C E Industrial Motor Drive Gate Collector Emitter Inverters UPS Welding Features Benefi
irgp4262d.pdf

IRGP4262DPbF IRGP4262D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 650V G C G IC = 40A, TC =100C E tSC 5.5s, TJ(max) = 175C E GC C G G EVCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 24A IRGP4262DPbF IRGP4262D-EPbF n-channelTO-247AC TO-247AD Applications G C E Industrial Motor Drive Gate Collector Emitter UPS
irgp4266d.pdf

IRGP4266DPbF IRGP4266D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 650V C IC = 90A, TC =100C tSC 5.5s, TJ(max) = 175C GE E C G C G VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 75A EIRGP4266DPbFIRGP4266DEPbFn-channelApplications TO247ACTO247AD Industrial Motor Drive G C E UPS Gate Collector E
irgp4266.pdf

IRGP4266PbF IRGP4266-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor VCES = 650V CIC = 90A, TC =100C tSC 5.5s, TJ(max) = 175C GE E C VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 75A G C G EIRGP4266PbF IRGP4266-EPbF n-channelTO-247AC TO-247AD Applications Industrial Motor Drive G C E Inverters Gate Collector Emitter UPS Welding Features Ben
Другие IGBT... RJH1CV6DPK , NGTB15N120FL2 , NGTB15N120FL2WG , NGTG15N120FL2 , NGTG15N120FL2WG , NGTB60N60S , NGTB60N60SWG , AP50G60SW , SGP30N60 , MMG50A120B7HN , MMG50H120H6HN , MMG50HB120H6HN , NGTB35N60FL2WG , NGTB35N65FL2 , NGTB35N65FL2WG , NGTB40N65IHL2 , NGTB40N65IHL2WG .
History: MGV12N120D | MMG100S120UA6TC | NGB18N40CLB
History: MGV12N120D | MMG100S120UA6TC | NGB18N40CLB



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647 | k3561 transistor | c3203 transistor | irfp450 equivalent | 2sb649