IRGP4263 - аналоги и описание IGBT

 

IRGP4263 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IRGP4263

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 90 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IRGP4263

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGP4263 даташит

 ..1. Size:920K  international rectifier
irgp4263.pdfpdf_icon

IRGP4263

IRGP4263PbF IRGP4263-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor C VCES = 650V IC = 60A, TC =100 C E E G tSC 5.5 s, TJ(max) = 175 C C C G G VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 48A E IRGP4263PbF IRGP4263-EPbF n-channel TO247AC TO-247AD Applications G C E Industrial Motor Drive Gate Collector Emitter Inverters UPS Welding Features Benefi

 7.1. Size:681K  international rectifier
irgp4262d.pdfpdf_icon

IRGP4263

IRGP4262DPbF IRGP4262D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 650V G C G IC = 40A, TC =100 C E tSC 5.5 s, TJ(max) = 175 C E G C C G G E VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 24A IRGP4262DPbF IRGP4262D-EPbF n-channel TO-247AC TO-247AD Applications G C E Industrial Motor Drive Gate Collector Emitter UPS

 7.2. Size:899K  international rectifier
irgp4266d.pdfpdf_icon

IRGP4263

IRGP4266DPbF IRGP4266D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 650V C IC = 90A, TC =100 C tSC 5.5 s, TJ(max) = 175 C G E E C G C G VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 75A E IRGP4266DPbF IRGP4266D EPbF n-channel Applications TO 247AC TO 247AD Industrial Motor Drive G C E UPS Gate Collector E

 7.3. Size:583K  international rectifier
irgp4266.pdfpdf_icon

IRGP4263

IRGP4266PbF IRGP4266-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor VCES = 650V C IC = 90A, TC =100 C tSC 5.5 s, TJ(max) = 175 C G E E C VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 75A G C G E IRGP4266PbF IRGP4266-EPbF n-channel TO-247AC TO-247AD Applications Industrial Motor Drive G C E Inverters Gate Collector Emitter UPS Welding Features Ben

Другие IGBT... RJH1CV6DPK , NGTB15N120FL2 , NGTB15N120FL2WG , NGTG15N120FL2 , NGTG15N120FL2WG , NGTB60N60S , NGTB60N60SWG , AP50G60SW , IRG4PC50U , MMG50A120B7HN , MMG50H120H6HN , MMG50HB120H6HN , NGTB35N60FL2WG , NGTB35N65FL2 , NGTB35N65FL2WG , NGTB40N65IHL2 , NGTB40N65IHL2WG .

History: IXSR40N60BD1 | HIA30N140IH-DA | STGW100H65FB2-4 | SPF15N65T1T2TL | SGR5N60RUF | IXSH45N120B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.