Справочник IGBT. IRGP6650D

 

IRGP6650D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRGP6650D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 306 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IRGP6650D

 

 

IRGP6650D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:688K  international rectifier
 irgp6650d.pdf

IRGP6650D IRGP6650D

IRGP6650DPbF IRGP6650D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V C C C IC = 50A, TC =100C E tSC 5s, TJ(max) = 175C GE C G C G EVCE(ON) typ. = 1.65V @ IC = 35A IRGP6650DPbFIRGP6650DEPbFn-channelTO247ACTO247ADApplications G C E Welding Gate Collector Emitter H Bridg

 7.1. Size:976K  international rectifier
 auirgp66524d0.pdf

IRGP6650D IRGP6650D

AUIRGP66524D0 AUIRGF66524D0 AUTOMOTIVE GRADE INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH COOLiRIGBT ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE CVCES = 600V INOMINAL = 24A E Tsc 6s, TJ(MAX) = 175C GC E G C G EVCE(ON) typ. = 1.60V TO-247AC TO-247AD n-channelAUIRGP66524D0 AUIRGF66524D0 Applications G C E Air Conditioning Compressor Gate Collector E

 8.1. Size:682K  international rectifier
 irgp6660d.pdf

IRGP6650D IRGP6650D

IRGP6660DPbF IRGP6660D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V C C C IC = 60A, TC =100C tSC 5s, TJ(max) = 175C GE E C G C G EVCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 48A IRGP6660DPbF IRGP6660D-EPbF n-channelTO-247AC TO-247AD Applications G C E Welding Gate Collector Emitter H Bridge Converters Feat

 8.2. Size:649K  international rectifier
 irgp6690d.pdf

IRGP6650D IRGP6650D

IRGP6690DPbF IRGP6690D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V C C C IC = 90A, TC =100C tSC 5s, TJ(max) = 175C GE E C G C G EVCE(ON) typ. = 1.65V @ IC = 75A IRGP6690DPbF IRGP6690D-EPbF n-channelTO-247AC TO-247AD Applications G C E Welding Gate Collector Emitter H Bridge Converters Fea

 8.3. Size:699K  international rectifier
 irgp6630d.pdf

IRGP6650D IRGP6650D

IRGP6630DPbF IRGP6630D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V C C C IC = 30A, TC =100C E tSC 5s, TJ(max) = 175C GE C G C G EVCE(ON) typ. = 1.65V @ IC = 18A IRGP6630DPbFIRGP6630DEPbFn-channelTO247ACTO247ADApplications G C E Welding Gate Collector Emitter H Bridg

 8.4. Size:637K  infineon
 irgp6690dpbf irgp6690d-epbf.pdf

IRGP6650D IRGP6650D

IRGP6690DPbF IRGP6690D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V C C C IC = 90A, TC =100C tSC 5s, TJ(max) = 175C GE E C G C G EVCE(ON) typ. = 1.65V @ IC = 75A IRGP6690DPbF IRGP6690D-EPbF n-channelTO-247AC TO-247AD Applications G C E Welding Gate Collector Emitter H Bridge Converters Fea

Другие IGBT... NGTG35N65FL2WG , RJH60D7BDPQ-E0 , RJH60D7DPQ-E0 , IGW50N65F5 , IGW50N65H5 , IKW50N65F5 , IKW50N65H5 , IRG8P40N120KD , TGPF30N40P , MMG40A120B6C , IRG7PH42UD1M , IRG7PG42UD , IRG7PH44K10D , MMG50S170B6EN , NGTB40N120FL , NGTB40N120FLWG , RJH1CV7DPK .

 

 
Back to Top