Справочник IGBT. IRG7PH42UD1M

 

IRG7PH42UD1M - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRG7PH42UD1M
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 85 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF
   Тип корпуса: TO247AD

 Аналог (замена) для IRG7PH42UD1M

 

 

IRG7PH42UD1M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  international rectifier
irg7ph42ud1m.pdf

IRG7PH42UD1M
IRG7PH42UD1M

IRG7PH42UD1MPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODEFOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONSFeaturesC Low VCE (ON) trench IGBT technologyVCES = 1200V Low switching losses Square RBSOAIC = 45A, TC = 100C Ultra-low VF DiodeTJ(max) = 150C 1300Vpk repetitive transient capacityG 100% of the parts tested for ILM VCE

 3.1. Size:331K  international rectifier
irg7ph42ud1.pdf

IRG7PH42UD1M
IRG7PH42UD1M

IRG7PH42UD1PbFIRG7PH42UD1-EPINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODEFOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONSFeaturesCVCES = 1200V Low VCE (ON) trench IGBT technology Low switching losses Square RBSOA I NOMINAL = 30A Ultra-low VF DiodeG 1300Vpk repetitive transient capacityTJ(max) = 150C 100% of the parts tested for IL

 4.1. Size:435K  international rectifier
irg7ph42ud-ep.pdf

IRG7PH42UD1M
IRG7PH42UD1M

PD - 97391BIRG7PH42UDPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHIRG7PH42UD-EPULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEFeaturesC Low VCE (ON) trench IGBT technologyVCES = 1200V Low switching losses Square RBSOAIC = 45A, TC = 100C 100% of the parts tested for ILM Positive VCE (ON) temperature co-efficientG TJ(max) = 150C Ultra fast soft recovery co-pak diod

 4.2. Size:435K  international rectifier
irg7ph42ud.pdf

IRG7PH42UD1M
IRG7PH42UD1M

PD - 97391BIRG7PH42UDPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHIRG7PH42UD-EPULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEFeaturesC Low VCE (ON) trench IGBT technologyVCES = 1200V Low switching losses Square RBSOAIC = 45A, TC = 100C 100% of the parts tested for ILM Positive VCE (ON) temperature co-efficientG TJ(max) = 150C Ultra fast soft recovery co-pak diod

 4.3. Size:1498K  infineon
irg7ph42udpbf.pdf

IRG7PH42UD1M
IRG7PH42UD1M

Другие IGBT... RJH60D7DPQ-E0 , IGW50N65F5 , IGW50N65H5 , IKW50N65F5 , IKW50N65H5 , IRG8P40N120KD , IRGP6650D , MMG40A120B6C , IKW40T120 , IRG7PG42UD , IRG7PH44K10D , MMG50S170B6EN , NGTB40N120FL , NGTB40N120FLWG , RJH1CV7DPK , IRGP4760 , IRGP4760D .

 

 
Back to Top