IRGP4063D1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IRGP4063D1  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IRGP4063D1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGP4063D1 даташит

 ..1. Size:1407K  international rectifier
 irgp4063d1.pdf pdf_icon

IRGP4063D1

IRGP4063D1PbF IRGP4063D1-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V C G IC = 60A, TC =100 C G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C G E VCE(ON) typ. = 1.65V @ IC = 48A E C C E G G n-channel Applica ons IRGP4063D1PbF IRGP4063D1 EPbF Industrial Motor Drive G C E Inverters UPS Gate Collecto

 5.1. Size:340K  international rectifier
 irgp4063dpbf.pdf pdf_icon

IRGP4063D1

 5.2. Size:325K  international rectifier
 auirgp4063d auirgp4063d-e.pdf pdf_icon

IRGP4063D1

AUIRGP4063D AUTOMOTIVE GRADE AUIRGP4063D-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V Features Low VCE (ON) Trench IGBT Technology IC = 60A, TC = 100 C Low switching losses Maximum Junction temperature 175 C G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C 5 S short circuit SOA Square RBSOA E VCE(on) typ. = 1.6V 100% of the

 5.3. Size:782K  international rectifier
 irgp4063d.pdf pdf_icon

IRGP4063D1

PD - 97210 IRGP4063DPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features Low VCE (ON) Trench IGBT Technology C VCES = 600V Low switching losses Maximum Junction temperature 175 C IC = 48A, TC = 100 C 5 S short circuit SOA Square RBSOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C 100% of the parts tested for 4X rated current (ILM) P

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRGP4760, IRGP4760D, STGW25M120DF3, STGWA25M120DF3, NGTB30N120IHL, NGTB30N120IHLWG, NGTB40N120IHL, NGTB40N120IHLWG, FGL60N100BNTD, IRGP4660D, IRGP6660D, MMG50H120X6HN, MMG50S120B6HN, IKW50N60T, NGTB15N120IHR, NGTB15N120IHRWG, NGTB20N120IH