Справочник IGBT. STGW25S120DF3

 

STGW25S120DF3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGW25S120DF3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 11.8 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 125 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

STGW25S120DF3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:698K  st
stgw25s120df3.pdfpdf_icon

STGW25S120DF3

STGW25S120DF3, STGWA25S120DF3Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 25 A low dropDatasheet - production dataFeatures 10 s of short-circuit withstand time VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 25 A Tight parameter distribution Safer paralleling Low thermal resistance32 Soft and fast recovery antiparallel diode1TO-247ApplicationsTO-247 long le

 8.1. Size:952K  st
stgw25h120f2.pdfpdf_icon

STGW25S120DF3

STGW25H120F2, STGWA25H120F2Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speedDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 25 A 5 s minimum short circuit withstand time at 3 32 2 TJ=150 C1 1 Tight parameters distribution

 8.2. Size:1046K  st
stgw25m120df3.pdfpdf_icon

STGW25S120DF3

STGW25M120DF3 STGWA25M120DF3Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low lossDatasheet - production dataFeatures 10 s of short-circuit withstand time VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 25 A Tight parameters distribution Safer paralleling Low thermal resistance3 Soft and fast recovery antiparallel diode21ApplicationsTO-247 Industria

 8.3. Size:732K  st
stgw25h120df2.pdfpdf_icon

STGW25S120DF3

STGW25H120DF2, STGWA25H120DF2Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed Datasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 25 A 5 s minimum short circuit withstand time at 3 3TJ=150 C2 21 1 Safe parallelingTO-247

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: IRG4PC30U | OST75N65HSXF | OST80N65HMF | SSG55N60M | MMG50A120B7HN | CPV364M4KPBF

 

 
Back to Top

 


 
.