STGW60V60DF datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: STGW60V60DF 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.15 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 280 pF
Тип корпуса: TO247
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для STGW60V60DF
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
STGW60V60DF даташит
stgw60v60df stgwa60v60df stgwt60v60df.pdf
STGW60V60DF, STGWA60V60DF STGWT60V60DF Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature TJ = 175 C Tail-less switching off VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 60 A 3 3 2 2 1 1 Tight parameter distribution TO-247 TO-247 long leads Safe paralleling TAB Low thermal resistan
stgw60v60df.pdf
STGW60V60DF, STGWT60V60DF Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed Datasheet - production data Features TAB Maximum junction temperature TJ = 175 C Tail-less switching off VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 60 A Tight parameters distribution 3 3 Safe paralleling 2 2 1 Low thermal resistance 1 Very fast soft recovery antipa
stgw60v60f.pdf
STGW60V60F Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature TJ = 175 C Tail-less switching off VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 60 A Tight parameters distribution 3 Safe paralleling 2 1 Low thermal resistance Lead free package TO-247 Applications Photovoltaic in
stgw60h65dfb.pdf
STGW60H65DFB, STGWA60H65DFB STGWT60H65DFB Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed Datasheet - production data Features TAB Maximum junction temperature TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current 3 3 2 2 VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 60 A 1 1 TO-3P TO-247 Tight parameters distribution Safe paralleling
Другие IGBT... MMG75S060B6EN, STGW25H120DF2, STGW25H120F2, STGW25S120DF3, STGW28IH125DF, STGW60H60DLFB, STGW60H65DFB, STGW60H65FB, IHW20N120R3, STGW60V60F, STGWA25H120DF2, STGWA25H120F2, STGWA25S120DF3, STGWA60H65DFB, STGWT28IH125DF, STGWT60H60DLFB, STGWT60H65DFB
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor











