STGW60V60DF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: STGW60V60DF
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: GW60V60DF
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.15 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 280 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 334 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для STGW60V60DF
STGW60V60DF Datasheet (PDF)
stgw60v60df stgwa60v60df stgwt60v60df.pdf

STGW60V60DF, STGWA60V60DF STGWT60V60DFTrench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speedDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C Tail-less switching off VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 60 A332211 Tight parameter distributionTO-247TO-247 long leads Safe parallelingTAB Low thermal resistan
stgw60v60df.pdf

STGW60V60DF, STGWT60V60DFTrench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speedDatasheet - production dataFeaturesTAB Maximum junction temperature: TJ = 175 C Tail-less switching off VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 60 A Tight parameters distribution33 Safe paralleling221 Low thermal resistance1 Very fast soft recovery antipa
stgw60v60f.pdf

STGW60V60FTrench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speedDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C Tail-less switching off VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 60 A Tight parameters distribution3 Safe paralleling21 Low thermal resistance Lead free packageTO-247Applications Photovoltaic in
stgw60h65dfb.pdf

STGW60H65DFB, STGWA60H65DFB STGWT60H65DFBTrench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speedDatasheet - production dataFeaturesTAB Maximum junction temperature: TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current3322 VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 60 A11TO-3PTO-247 Tight parameters distribution Safe paralleling
Другие IGBT... MMG75S060B6EN , STGW25H120DF2 , STGW25H120F2 , STGW25S120DF3 , STGW28IH125DF , STGW60H60DLFB , STGW60H65DFB , STGW60H65FB , RJH3047 , STGW60V60F , STGWA25H120DF2 , STGWA25H120F2 , STGWA25S120DF3 , STGWA60H65DFB , STGWT28IH125DF , STGWT60H60DLFB , STGWT60H65DFB .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor