STGWA25H120DF2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: STGWA25H120DF2  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 12 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 146 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для STGWA25H120DF2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGWA25H120DF2 даташит

 ..1. Size:732K  st
 stgwa25h120df2.pdf pdf_icon

STGWA25H120DF2

STGW25H120DF2, STGWA25H120DF2 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 25 A 5 s minimum short circuit withstand time at 3 3 TJ=150 C 2 2 1 1 Safe paralleling TO-247

 3.1. Size:952K  st
 stgwa25h120f2.pdf pdf_icon

STGWA25H120DF2

STGW25H120F2, STGWA25H120F2 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 25 A 5 s minimum short circuit withstand time at 3 3 2 2 TJ=150 C 1 1 Tight parameters distribution

 7.1. Size:698K  st
 stgwa25s120df3.pdf pdf_icon

STGWA25H120DF2

STGW25S120DF3, STGWA25S120DF3 Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 25 A low drop Datasheet - production data Features 10 s of short-circuit withstand time VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 25 A Tight parameter distribution Safer paralleling Low thermal resistance 3 2 Soft and fast recovery antiparallel diode 1 TO-247 Applications TO-247 long le

 7.2. Size:1046K  st
 stgwa25m120df3.pdf pdf_icon

STGWA25H120DF2

STGW25M120DF3 STGWA25M120DF3 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss Datasheet - production data Features 10 s of short-circuit withstand time VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 25 A Tight parameters distribution Safer paralleling Low thermal resistance 3 Soft and fast recovery antiparallel diode 2 1 Applications TO-247 Industria

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STGW25H120F2, STGW25S120DF3, STGW28IH125DF, STGW60H60DLFB, STGW60H65DFB, STGW60H65FB, STGW60V60DF, STGW60V60F, SGT50T65FD1PN, STGWA25H120F2, STGWA25S120DF3, STGWA60H65DFB, STGWT28IH125DF, STGWT60H60DLFB, STGWT60H65DFB, STGWT60H65FB, STGWT60V60DF