Справочник IGBT. STGWT60V60DF

 

STGWT60V60DF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGWT60V60DF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: GWT60V60DF
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.15 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 280 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 334 nC
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для STGWT60V60DF

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGWT60V60DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1625K  st
 stgw60v60df stgwa60v60df stgwt60v60df.pdf pdf_icon

STGWT60V60DF

STGW60V60DF, STGWA60V60DF STGWT60V60DFTrench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speedDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C Tail-less switching off VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 60 A332211 Tight parameter distributionTO-247TO-247 long leads Safe parallelingTAB Low thermal resistan

 ..2. Size:1723K  st
 stgwt60v60df.pdf pdf_icon

STGWT60V60DF

STGW60V60DF, STGWT60V60DFTrench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speedDatasheet - production dataFeaturesTAB Maximum junction temperature: TJ = 175 C Tail-less switching off VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 60 A Tight parameters distribution33 Safe paralleling221 Low thermal resistance1 Very fast soft recovery antipa

 7.1. Size:1574K  st
 stgwt60h65dfb.pdf pdf_icon

STGWT60V60DF

STGW60H65DFB, STGWA60H65DFB STGWT60H65DFBTrench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speedDatasheet - production dataFeaturesTAB Maximum junction temperature: TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current3322 VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 60 A11TO-3PTO-247 Tight parameters distribution Safe paralleling

 7.2. Size:685K  st
 stgw60h65dfb stgwa60h65dfb stgwt60h65dfb.pdf pdf_icon

STGWT60V60DF

STGW60H65DFB, STGWA60H65DFB, STGWT60H65DFBDatasheetTrench gate field-stop 650 V, 60 A high speed HB series IGBTFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C3 3 High speed switching series2 21 1 Minimized tail currentTO-247TO-247 long leads Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 60 ATAB Tight parameter distribution Safe paral

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: AUIRGS4062D1 | MIAA15WB600TMH

 

 
Back to Top

 


 
.