Справочник IGBT. NGTG25N120FL2WG

 

NGTG25N120FL2WG - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: NGTG25N120FL2WG
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 74 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 151 pF
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для NGTG25N120FL2WG

 

 

NGTG25N120FL2WG Datasheet (PDF)

 0.1. Size:200K  onsemi
 ngtg25n120fl2wg.pdf

NGTG25N120FL2WG NGTG25N120FL2WG

NGTG25N120FL2WGIGBT - Field Stop IIThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust andcost effective Field Stop II Trench construction, and provides superiorperformance in demanding switching applications, offering both lowon state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suitedfor UPS and solar applications.http://onsemi.comFeatures25 A, 1200 V

 1.1. Size:139K  onsemi
 ngtg25n120fl2.pdf

NGTG25N120FL2WG NGTG25N120FL2WG

NGTG25N120FL2WGIGBT - Field Stop IIThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust andcost effective Field Stop II Trench construction, and provides superiorperformance in demanding switching applications, offering both lowon state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suitedfor UPS and solar applications.http://onsemi.comFeatures25 A, 1200 V

Другие IGBT... NGTB30N120IHRWG , NGTB40N120IHR , NGTB40N120IHRWG , NGTB25N120FL2 , NGTB25N120FL2WG , NGTB25N120S , NGTB25N120SWG , NGTG25N120FL2 , JT075N065WED , NGTB20N135IHR , NGTB20N135IHRWG , NGTB30N135IHR , NGTB30N135IHRWG , NGTB40N135IHR , NGTB40N135IHRWG , STGW40H120DF2 , STGW40H120F2 .

 

 
Back to Top