HGTG20N120E2 - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

HGTG20N120E2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: HGTG20N120E2
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: G20N120E2
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 34 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 110 nC
   Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для HGTG20N120E2

HGTG20N120E2 Datasheet (PDF)

..1. Size:79K 1
hgtg20n120e2.pdf

S E M I C O N D U C T O R HGTG20N120E234A, 1200V N-Channel IGBTApril 1995Features PackageJEDEC STYLE TO-247 34A, 1200V Latch Free OperationEMITTER Typical Fall Time - 780ns COLLECTORGATE High Input ImpedanceCOLLECTOR Low Conduction Loss(BOTTOM SIDEMETAL)DescriptionThe HGTG20N120E2 is a MOS gated, high voltage switch-ing device combining the best

4.1. Size:316K 1
hgtg20n120cnd.pdf