STGW40H120F2 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: STGW40H120F2 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 468 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 37 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 202 pF
Тип корпуса: TO247
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для STGW40H120F2
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
STGW40H120F2 даташит
stgw40h120f2.pdf
STGW40H120F2 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 40 A 3 5 s minimum short circuit withstand time at 2 TJ=150 C 1 Tight parameters distribution Safe paralleling
stgw40h120df2 stgwa40h120df2.pdf
STGW40H120DF2, STGWA40H120DF2 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature T = 175 C J High speed switching series Minimized tail current V = 2.1 V (typ.) @ I = 40 A CE(sat) C 5 s minimum short circuit withstand time at T =150 C J Safe paralleling Very
stgw40h120df2.pdf
STGW40H120DF2, STGWA40H120DF2 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 40 A 5 s minimum short circuit withstand time at 3 3 TJ=150 C 2 2 1 1 Safe paralleling TO-247 TO
stgfw40h65fb stgw40h65fb stgwa40h65fb.pdf
STGFW40H65FB, STGW40H65FB, STGWA40H65FB Datasheet Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT Features Maximum junction temperature TJ = 175 C 3 2 3 1 2 High speed switching series 1 TO-3PF TO-247 Minimized tail current Very low saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V (typ) @ IC = 40 A Safe paralleling 3 2 1 Tight parameter distributio
Другие IGBT... NGTG25N120FL2WG, NGTB20N135IHR, NGTB20N135IHRWG, NGTB30N135IHR, NGTB30N135IHRWG, NGTB40N135IHR, NGTB40N135IHRWG, STGW40H120DF2, YGW40N65F1A1, STGW40M120DF3, STGWA40H120DF2, STGWA40M120DF3, STGWA40S120DF3, STGW80H65DFB, STGW80H65FB, STGW80V60DF, STGW80V60F
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc897 datasheet | 2sd389 | mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor







