STGW40H120F2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: STGW40H120F2
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 468 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 37 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 202 pF
Тип корпуса: TO247
- подбор IGBT транзистора по параметрам
STGW40H120F2 Datasheet (PDF)
stgw40h120f2.pdf

STGW40H120F2Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speedDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 40 A3 5 s minimum short circuit withstand time at 2TJ=150 C1 Tight parameters distribution Safe paralleling
stgw40h120df2 stgwa40h120df2.pdf

STGW40H120DF2, STGWA40H120DF2 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature: T = 175 C J High speed switching series Minimized tail current V = 2.1 V (typ.) @ I = 40 A CE(sat) C 5 s minimum short circuit withstand time at T =150 C J Safe paralleling Very
stgw40h120df2.pdf

STGW40H120DF2,STGWA40H120DF2Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speedDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 40 A 5 s minimum short circuit withstand time at 3 3TJ=150 C2 21 1 Safe parallelingTO-247TO
stgfw40h65fb stgw40h65fb stgwa40h65fb.pdf

STGFW40H65FB, STGW40H65FB, STGWA40H65FBDatasheetTrench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBTFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C323 12 High speed switching series1TO-3PF TO-247 Minimized tail current Very low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ) @ IC = 40 A Safe paralleling321 Tight parameter distributio
Другие IGBT... NGTG25N120FL2WG , NGTB20N135IHR , NGTB20N135IHRWG , NGTB30N135IHR , NGTB30N135IHRWG , NGTB40N135IHR , NGTB40N135IHRWG , STGW40H120DF2 , STGB10NB37LZ , STGW40M120DF3 , STGWA40H120DF2 , STGWA40M120DF3 , STGWA40S120DF3 , STGW80H65DFB , STGW80H65FB , STGW80V60DF , STGW80V60F .
History: VS-150MT060WDF | IXBF50N360 | 2MBI600VE-120-50 | APTGF75SK60D1 | FGH40T100SMD | STGP20M65DF2
History: VS-150MT060WDF | IXBF50N360 | 2MBI600VE-120-50 | APTGF75SK60D1 | FGH40T100SMD | STGP20M65DF2



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sc897 datasheet | 2sd389 | mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor