STGWA40H120DF2 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: STGWA40H120DF2
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 468 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 37 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 220 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для STGWA40H120DF2
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
STGWA40H120DF2 даташит
stgwa40h120df2.pdf
STGW40H120DF2, STGWA40H120DF2 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 40 A 5 s minimum short circuit withstand time at 3 3 TJ=150 C 2 2 1 1 Safe paralleling TO-247 TO
stgw40h120df2 stgwa40h120df2.pdf
STGW40H120DF2, STGWA40H120DF2 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature T = 175 C J High speed switching series Minimized tail current V = 2.1 V (typ.) @ I = 40 A CE(sat) C 5 s minimum short circuit withstand time at T =150 C J Safe paralleling Very
stgwa40h65dfb.pdf
STGWA40H65DFB Datasheet Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT Features Maximum junction temperature TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current Low saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A Tight parameter distribution Safe paralleling Positive VCE(sat) temperature coefficient Low thermal resist
stgfw40h65fb stgw40h65fb stgwa40h65fb.pdf
STGFW40H65FB, STGW40H65FB, STGWA40H65FB Datasheet Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT Features Maximum junction temperature TJ = 175 C 3 2 3 1 2 High speed switching series 1 TO-3PF TO-247 Minimized tail current Very low saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V (typ) @ IC = 40 A Safe paralleling 3 2 1 Tight parameter distributio
Другие IGBT... NGTB20N135IHRWG , NGTB30N135IHR , NGTB30N135IHRWG , NGTB40N135IHR , NGTB40N135IHRWG , STGW40H120DF2 , STGW40H120F2 , STGW40M120DF3 , TGAN20N135FD , STGWA40M120DF3 , STGWA40S120DF3 , STGW80H65DFB , STGW80H65FB , STGW80V60DF , STGW80V60F , STGWA80H65DFB , STGWA80H65FB .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188






