Справочник IGBT. STGWA40H120DF2

 

STGWA40H120DF2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGWA40H120DF2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G40H120DF2
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 468 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 37 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 220 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 158 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для STGWA40H120DF2

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGWA40H120DF2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:699K  st
stgwa40h120df2.pdfpdf_icon

STGWA40H120DF2

STGW40H120DF2,STGWA40H120DF2Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speedDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 40 A 5 s minimum short circuit withstand time at 3 3TJ=150 C2 21 1 Safe parallelingTO-247TO

 ..2. Size:819K  st
stgw40h120df2 stgwa40h120df2.pdfpdf_icon

STGWA40H120DF2

STGW40H120DF2, STGWA40H120DF2 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature: T = 175 C J High speed switching series Minimized tail current V = 2.1 V (typ.) @ I = 40 A CE(sat) C 5 s minimum short circuit withstand time at T =150 C J Safe paralleling Very

 6.1. Size:526K  st
stgwa40h65dfb.pdfpdf_icon

STGWA40H120DF2

STGWA40H65DFBDatasheetTrench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBTFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A Tight parameter distribution Safe paralleling Positive VCE(sat) temperature coefficient Low thermal resist

 6.2. Size:431K  st
stgfw40h65fb stgw40h65fb stgwa40h65fb.pdfpdf_icon

STGWA40H120DF2

STGFW40H65FB, STGW40H65FB, STGWA40H65FBDatasheetTrench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBTFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C323 12 High speed switching series1TO-3PF TO-247 Minimized tail current Very low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ) @ IC = 40 A Safe paralleling321 Tight parameter distributio

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: IXXK110N65B4H1 | IXSH30N60B2D1 | STGWA40H65FB

 

 
Back to Top

 


 
.