Справочник IGBT. STGWT80V60DF

 

STGWT80V60DF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGWT80V60DF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 469 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.15 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 390 pF
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для STGWT80V60DF

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGWT80V60DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1592K  st
 stgwt80v60df.pdf pdf_icon

STGWT80V60DF

STGW80V60DF STGWT80V60DFTrench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speedDatasheet - production dataFeaturesTAB Maximum junction temperature: TJ = 175 C Tail-less switching off VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 80 A Tight parameters distribution3 Safe paralleling3221 Low thermal resistance1 Very fast soft recovery antipa

 ..2. Size:1562K  st
 stgw80v60df stgwt80v60df.pdf pdf_icon

STGWT80V60DF

STGW80V60DF STGWT80V60DFTrench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speedDatasheet - production dataFeaturesTAB Maximum junction temperature: TJ = 175 C Tail-less switching off VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 80 A Tight parameters distribution3 Safe paralleling3221 Low thermal resistance1 Very fast soft recovery antipa

 4.1. Size:1643K  st
 stgwt80v60f.pdf pdf_icon

STGWT80V60DF

STGFW80V60F, STGW80V60F, STGWT80V60FTrench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speedDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C111 Tail-less switching off3 VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 80 A21 Tight parameters distributionTABTO-3PF Safe paralleling Low thermal resistance33Applicati

 7.1. Size:1471K  st
 stgwt80h65fb.pdf pdf_icon

STGWT80V60DF

STGW80H65FB, STGWA80H65FB, STGWT80H65FBTrench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speedDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 CTAB High speed switching series Minimized tail current VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 80 A3 3 Tight parameter distribution2211 Safe parallelingTO-3PTO-247 Low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STGW80H65DFB , STGW80H65FB , STGW80V60DF , STGW80V60F , STGWA80H65DFB , STGWA80H65FB , STGWT80H65DFB , STGWT80H65FB , GT30J122 , STGWT80V60F , 70MT060WSP , RJH65S04DPQ-A0 , 1MBI75U4F-120L-50 , IRG7PH50K10D , MMG50A120B6C , MM40G120L , MMG100J060U .

History: DM2G400SH6A | IGC18T120T8L | CM200DU-24NFH | APT50GP60LDLG | F4-100R06KL4 | BT50T60ANFK | CM100MXA-24S

 

 
Back to Top

 


 
.