Справочник IGBT. VS-GB70LA60UF

 

VS-GB70LA60UF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: VS-GB70LA60UF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 447 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 111 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.23 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 69 nS
   Тип корпуса: SOT227
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

VS-GB70LA60UF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:150K  vishay
vs-gb70la60uf.pdfpdf_icon

VS-GB70LA60UF

VS-GB70LA60UFwww.vishay.comVishay Semiconductors"Low Side Chopper" IGBT SOT-227 (Warp 2 Speed IGBT), 70 AFEATURES NPT warp 2 speed IGBT technology withpositive temperature coefficient Square RBSOA Low VCE(on) FRED Pt hyperfast rectifier Fully isolated packageSOT-227 Very low internal inductance ( 5 nH typical) Industry standard outline

 7.1. Size:152K  vishay
vs-gb70na60uf.pdfpdf_icon

VS-GB70LA60UF

VS-GB70NA60UFwww.vishay.comVishay Semiconductors"High Side Chopper" IGBT SOT-227 (Warp 2 Speed IGBT), 70 AFEATURES NPT warp 2 speed IGBT technology withpositive temperature coefficient Square RBSOA Low VCE(on) FRED Pt hyperfast rectifier Fully isolated packageSOT-227 Very low internal inductance ( 5 nH typical) Industry standard outline

 8.1. Size:221K  vishay
vs-gb75yf120n.pdfpdf_icon

VS-GB70LA60UF

VS-GB75YF120Nwww.vishay.comVishay SemiconductorsIGBT Fourpack Module, 75 AFEATURES Square RBSOA HEXFRED low Qrr, low switching energy Positive VCE(on) temperature coefficient Copper baseplate Low stray inductance design Designed and qualified for industrial market UL approved file E78996 ECONO2 4PACK Material categorization: for definitions of

 8.2. Size:88K  vishay
vs-gb75tp120u.pdfpdf_icon

VS-GB70LA60UF

VS-GB75TP120Uwww.vishay.comVishay SemiconductorsMolding Type Module IGBT,2 in 1 Package, 1200 V, 75 AFEATURES High short circuit capability, self limiting to 6 x IC 10 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Rugged with ultrafast performance Square RBSOA Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparalle

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IKA10N65ET6 | SKM50GB12V | LEGM75BE120L5H | SGTP75V65SDB1P7 | HGTP5N120BND | APT25GP90BDF1 | IRGIB15B60KD1P

 

 
Back to Top

 


 
.