IRGP4790 - аналоги и описание IGBT

 

IRGP4790 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IRGP4790

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 455 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 140 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 230 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IRGP4790

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGP4790 даташит

 ..1. Size:796K  international rectifier
 irgp4790.pdf pdf_icon

IRGP4790

IRGP4790PbF IRGP4790-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor VCES = 650V C IC = 90A, TC =100 C tSC 5.5 s, TJ(max) = 175 C E G E C C G G VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 75A E n-channel IRGP4790PbF IRGP4790 EPbF Applications TO 247AC TO 247AD Industrial Motor Drive G C E UPS Gate Collector Emitter Solar Inverters We

 0.1. Size:894K  international rectifier
 irgp4790d.pdf pdf_icon

IRGP4790

IRGP4790DPbF IRGP4790D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 650V C IC = 90A, TC =100 C tSC 5.5 s, TJ(max) = 175 C E E G C C G G VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 75A E IRGP4790DPbF IRGP4790D EPbF n-channel Applications TO 247AC TO 247AD Industrial Motor Drive G C E UPS Gate Collector

 8.1. Size:833K  international rectifier
 irgp4760.pdf pdf_icon

IRGP4790

IRGP4760PbF IRGP4760-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor VCES = 650V C IC = 60A, TC =100 C tSC 5.5 s, TJ(max) = 175 C G E E C C G G E VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 48A IRGP4760PbF IRGP4760 EPbF n-channel TO 247AC TO 247AD Applications G C E Industrial Motor Drive Gate Collector Emitter UPS Solar Inverters Weldin

 8.2. Size:837K  international rectifier
 irgp4740d.pdf pdf_icon

IRGP4790

IRGP4740DPbF IRGP4740D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 650V C IC = 40A, TC =100 C tSC 5.5 s, TJ(max) = 175 C E E G C C G G VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 24A E IRGP4740DPbF IRGP4740D-EPbF n-channel TO-247AC TO-247AD Applications Industrial Motor Drive G C E UPS Gate Collector Emitter Sola

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VS-GB70NA60UF , IRGP4266 , MMG100S120B6TN , MMG100W120X6TN , NGTB30N120FL2 , NGTB30N120FL2WG , IRGP4690D , IRGP4266D , IRGP4062D , IRGP4790D , MMG75S060B6N , 40MT120UHAPBF , 40MT120UHTAPBF , MMG75H120H6HN , MMG75HB120H6HN , MMG75HB120H6UN , MMG75S060B6R .

History: MM50G120L

 

 

 


 
↑ Back to Top
.