Справочник IGBT. NGTB75N65FL2WG

 

NGTB75N65FL2WG Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: NGTB75N65FL2WG
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 75N65FL2
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 265 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 48 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 300 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 310 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для NGTB75N65FL2WG

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NGTB75N65FL2WG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:239K  onsemi
 ngtb75n65fl2wg.pdf pdf_icon

NGTB75N65FL2WG

NGTB75N65FL2WGIGBTThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust andcost effective Field Stop (FS) Trench construction, and providessuperior performance in demanding switching applications, offeringboth low on state voltage and minimal switching loss.Featureswww.onsemi.com Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology TJmax = 175C75 A, 650 V

 2.1. Size:243K  onsemi
 ngtb75n65fl2.pdf pdf_icon

NGTB75N65FL2WG

NGTB75N65FL2WGIGBTThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust andcost effective Field Stop (FS) Trench construction, and providessuperior performance in demanding switching applications, offeringboth low on state voltage and minimal switching loss.Featureswww.onsemi.com Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology TJmax = 175C75 A, 650 V

 6.1. Size:243K  onsemi
 ngtb75n60fl2wg.pdf pdf_icon

NGTB75N65FL2WG

NGTB75N60FL2WGIGBTThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust andcost effective Field Stop (FS) Trench construction, and providessuperior performance in demanding switching applications, offeringboth low on state voltage and minimal switching loss.Featureswww.onsemi.com Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology TJmax = 175C75 A, 600 V

 6.2. Size:243K  onsemi
 ngtb75n60fl2.pdf pdf_icon

NGTB75N65FL2WG

NGTB75N60FL2WGIGBTThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust andcost effective Field Stop (FS) Trench construction, and providessuperior performance in demanding switching applications, offeringboth low on state voltage and minimal switching loss.Featureswww.onsemi.com Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology TJmax = 175C75 A, 600 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top

 


 
.