HGTG20N60C3R Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: HGTG20N60C3R
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 164 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для HGTG20N60C3R
HGTG20N60C3R Datasheet (PDF)
hgtp20n60c3r hgtg20n60c3r hgt1s20n60c3r hgt1s20n60c3rs.pdf

HGTG20N60C3R, HGTP20N60C3R,S E M I C O N D U C T O RHGT1S20N60C3R, HGT1S20N60C3RS40A, 600V, Rugged UFS Series N-Channel IGBTsJanuary 1997Features Description 40A, 600V TJ = 25oC This family of IGBTs was designed for optimum performancein the demanding world of motor control operation as well as 600V Switching SOA Capabilityother high voltage switching applications. These
hgtg20n60c3r.pdf

HGTG20N60C3R, HGTP20N60C3R,S E M I C O N D U C T O RHGT1S20N60C3R, HGT1S20N60C3RS40A, 600V, Rugged UFS Series N-Channel IGBTsJanuary 1997Features Description 40A, 600V TJ = 25oC This family of IGBTs was designed for optimum performancein the demanding world of motor control operation as well as 600V Switching SOA Capabilityother high voltage switching applications. These
Другие IGBT... HGTG20N120E2 , HGTG20N60A4 , HGTG20N60A4D , HGTG20N60B3 , HGTG20N60B3D , HGTG20N60C3 , HGTG20N60C3D , HGTG20N60C3DR , FGH75T65UPD , HGTG27N120BN , HGTG27N60C3DR , HGTG27N60C3R , HGTG30N120CN , HGTG30N60A4 , HGTG30N60A4D , HGTG30N60B3 , HGTG30N60B3D .
History: HGTG40N60A4
History: HGTG40N60A4



Список транзисторов
Обновления
IGBT: DHG20T65D | G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2
Popular searches
2sc1313 datasheet | 2sc984 | 2sa872 | 2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor