Справочник IGBT. HGTG20N60C3R

 

HGTG20N60C3R Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HGTG20N60C3R
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 164 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для HGTG20N60C3R

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HGTG20N60C3R Datasheet (PDF)

 ..2. Size:112K  1
hgtp20n60c3r hgtg20n60c3r hgt1s20n60c3r hgt1s20n60c3rs.pdfpdf_icon

HGTG20N60C3R

HGTG20N60C3R, HGTP20N60C3R,S E M I C O N D U C T O RHGT1S20N60C3R, HGT1S20N60C3RS40A, 600V, Rugged UFS Series N-Channel IGBTsJanuary 1997Features Description 40A, 600V TJ = 25oC This family of IGBTs was designed for optimum performancein the demanding world of motor control operation as well as 600V Switching SOA Capabilityother high voltage switching applications. These

 ..3. Size:112K  harris semi
hgtg20n60c3r.pdfpdf_icon

HGTG20N60C3R

HGTG20N60C3R, HGTP20N60C3R,S E M I C O N D U C T O RHGT1S20N60C3R, HGT1S20N60C3RS40A, 600V, Rugged UFS Series N-Channel IGBTsJanuary 1997Features Description 40A, 600V TJ = 25oC This family of IGBTs was designed for optimum performancein the demanding world of motor control operation as well as 600V Switching SOA Capabilityother high voltage switching applications. These

 3.1. Size:490K  1
hgtg20n60c3d.pdfpdf_icon

HGTG20N60C3R

Другие IGBT... HGTG20N120E2 , HGTG20N60A4 , HGTG20N60A4D , HGTG20N60B3 , HGTG20N60B3D , HGTG20N60C3 , HGTG20N60C3D , HGTG20N60C3DR , FGH75T65UPD , HGTG27N120BN , HGTG27N60C3DR , HGTG27N60C3R , HGTG30N120CN , HGTG30N60A4 , HGTG30N60A4D , HGTG30N60B3 , HGTG30N60B3D .

History: HGTG40N60A4

 

 
Back to Top

 


 
.