HGTG20N60C3R аналоги, datasheet, параметры транзистора

HGTG20N60C3R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: HGTG20N60C3R 📄📄

Тип транзистора: IGBT

Маркировка: 20N60C3R

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 164 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS

Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 87 nC

Тип корпуса: TO247

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для HGTG20N60C3R

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

HGTG20N60C3R даташит

..1. Size:203K 1
hgtp20n60c3r hgtg20n60c3r hgt1s20n60c3r hgt1s20n60c3rs hgt1s20n60c3rs9a.pdf pdf_icon

..2. Size:112K 1
hgtp20n60c3r hgtg20n60c3r hgt1s20n60c3r hgt1s20n60c3rs.pdf pdf_icon

HGTG20N60C3R, HGTP20N60C3R, S E M I C O N D U C T O R HGT1S20N60C3R, HGT1S20N60C3RS 40A, 600V, Rugged UFS Series N-Channel IGBTs January 1997 Features Description 40A, 600V TJ = 25oC This family of IGBTs was designed for optimum performance in the demanding world of motor control operation as well as 600V Switching SOA Capability other high voltage switching applications. These

..3. Size:112K harris semi
hgtg20n60c3r.pdf pdf_icon