Справочник IGBT. HGTG27N60C3R

 

HGTG27N60C3R Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HGTG27N60C3R
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: 27N60C3R
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 54 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 156 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для HGTG27N60C3R

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HGTG27N60C3R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  1
 hgtg27n60c3r.pdf pdf_icon

HGTG27N60C3R

 3.1. Size:85K  1
 hgtg27n60c3dr.pdf pdf_icon

HGTG27N60C3R

HGTG27N60C3DRTMData Sheet June 2000 File Number 4262.154A, 600V, Rugged UFS Series N-Channel FeaturesIGBT with Anti-Parallel Ultrafast Diode 54A, 600V, TC = 25oC[ /TitleThis IGBT was designed for optimum performance in the 600V Switching SOA Capability(HGTdemanding world of motor control operation as well as other Typical Fall Time at TJ = 150oC . . . . . . . . .

 7.1. Size:164K  fairchild semi
 hgtg27n120bn hgt5a27n120bn.pdf pdf_icon

HGTG27N60C3R

HGTG27N120BN / HGT5A27N120BNData Sheet October 200472A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT FeaturesThe HGTG27N120BN and HGT5A27N120BN are Non- 72A, 1200V, TC = 25oCPunch Through (NPT) IGBT design. This is a new member 1200V Switching SOA Capabilityof the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at TJ = 15

 7.2. Size:378K  onsemi
 hgtg27n120bn.pdf pdf_icon

HGTG27N60C3R

NPT Series N-Channel IGBT72 A, 1200 VHGTG27N120BNThe HGTG27N120BN is Non-Punch Through (NPT) IGBT design.This is a new member of the MOS gated high voltage switching IGBTfamily. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolarwww.onsemi.comtransistors. This device has the high input impedance of a MOSFETand the low on-state conduction loss of a bipolar transistor.CThe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGTG20N60B3 , HGTG20N60B3D , HGTG20N60C3 , HGTG20N60C3D , HGTG20N60C3DR , HGTG20N60C3R , HGTG27N120BN , HGTG27N60C3DR , IXRH40N120 , HGTG30N120CN , HGTG30N60A4 , HGTG30N60A4D , HGTG30N60B3 , HGTG30N60B3D , HGTG30N60C3 , HGTG30N60C3D , HGTG34N100E2 .

 

 
Back to Top

 


 
.