IQAB75N60A1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IQAB75N60A1
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 288 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IQAB75N60A1
IQAB75N60A1 Datasheet (PDF)
iqab75n60a1.pdf
IQAB75N60A1 PRELIMINARY DATASHEET IGBT Trench & Field Stop technology in TO247 Package Very high switching speed Very low V CE(sat) Short circuit withstand time - 5s Designed for frequency converters and UPS Very tight parameter distribution High ruggedness, temperature stability Parallel switching capability Pb-free lead finish; RoHS comp
iqab75n60d1.pdf
IQAB75N60D1PRELIMINARY DATASHEETIGBT in Trench & Field Stop technology with soft, fast recovery anti-paralleldiode, in TO-247 Package Very high switching speed Very low VCE(sat) Short circuit withstand time - 5s Designed for frequency converters and UPS Very tight parameter distribution High ruggedness, temperature stable Parallel switching capabilit
Другие IGBT... MMG400D120B6HN , MMG450WB170B6EN , MMG400D170B6EN , IGW30N65L5 , IKD06N60-RF , IKD10N60RF , IKD15N60RF , IQAB50N60D1 , IRG4PC50UD , IQAB75N60D1 , IQG1B150N120B4 , IQG1B228N120B4 , IQG1B300N120B4 , IQG1B456N120B4 , IQG1B600N120B4 , IQGB150N120GA4 , IQGB150N120GB4 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2