Справочник IGBT. IQAB75N60A1

 

IQAB75N60A1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IQAB75N60A1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 288 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IQAB75N60A1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  iqxprz
 iqab75n60a1.pdf pdf_icon

IQAB75N60A1

IQAB75N60A1 PRELIMINARY DATASHEET IGBT Trench & Field Stop technology in TO247 Package Very high switching speed Very low V CE(sat) Short circuit withstand time - 5s Designed for frequency converters and UPS Very tight parameter distribution High ruggedness, temperature stability Parallel switching capability Pb-free lead finish; RoHS comp

 5.1. Size:154K  iqxprz
 iqab75n60d1.pdf pdf_icon

IQAB75N60A1

IQAB75N60D1PRELIMINARY DATASHEETIGBT in Trench & Field Stop technology with soft, fast recovery anti-paralleldiode, in TO-247 Package Very high switching speed Very low VCE(sat) Short circuit withstand time - 5s Designed for frequency converters and UPS Very tight parameter distribution High ruggedness, temperature stable Parallel switching capabilit

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: STGD7NB60S | IXGA48N60C3 | IXBX28N300HV | MMG75S120B6UC | MMG400D060B6TC | IXXH50N60C3 | BSM300GB120DLC

 

 
Back to Top

 


 
.