HGTG40N60C3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: HGTG40N60C3

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 291 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для HGTG40N60C3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HGTG40N60C3 даташит

 ..1. Size:108K  1
 hgtg40n60c3.pdf pdf_icon

HGTG40N60C3

HGTG40N60C3 Data Sheet December 2001 75A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT Features The HGTG40N60C3 is a MOS gated high voltage switching 75A, 600V, TC = 25oC device combining the best features of a MOSFET and a 600V Switching SOA Capability bipolar transistor. These devices have the high input Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 100ns at TJ = 150oC impedance

 0.1. Size:84K  1
 hgtg40n60c3r.pdf pdf_icon

HGTG40N60C3

HGTG40N60C3 Data Sheet January 2000 File Number 4472.2 75A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT Features The HGTG40N60C3 is a MOS gated high voltage switching 75A, 600V, TC = 25oC device combining the best features of a MOSFET and a 600V Switching SOA Capability bipolar transistor. These devices have the high input Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 100ns at TJ = 1

 5.1. Size:160K  fairchild semi
 hgtg40n60a4.pdf pdf_icon

HGTG40N60C3

HGTG40N60A4 Data Sheet August 2003 File Number 600V, SMPS Series N-Channel IGBT Features The HGTG40N60A4 is a MOS gated high voltage switching 100kHz Operation At 390V, 40A device combining the best features of a MOSFET and a 200kHz Operation At 390V, 20A bipolar transistor. This device has the high input impedance 600V Switching SOA Capability of a MOSFET and the low on

 5.2. Size:138K  fairchild semi
 hgtg40n60b3.pdf pdf_icon

HGTG40N60C3

HGTG40N60B3 Data Sheet November 2004 File Number 70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT Features The HGTG40N60B3 is a MOS gated high voltage switching 70A, 600V, TC = 25oC device combining the best features of MOSFETs and bipolar 600V Switching SOA Capability transistors. The device has the high input impedance of a Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 100ns at

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGTG30N60A4D, HGTG30N60B3, HGTG30N60B3D, HGTG30N60C3, HGTG30N60C3D, HGTG34N100E2, HGTG40N60A4, HGTG40N60B3, IRG4PC40W, HGTG40N60C3R, HGTG5N120BND, HGTG5N120CND, HGTG7N60A4, HGTG7N60A4D, HGTH12N40C1, HGTH12N40C1D, HGTH12N40E1