IQG1B600N120B4 - аналоги и описание IGBT

 

IQG1B600N120B4 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IQG1B600N120B4

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 600 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.87 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 99 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2840 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для IQG1B600N120B4

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IQG1B600N120B4 даташит

 ..1. Size:139K  iqxprz
 iqg1b600n120b4.pdf pdf_icon

IQG1B600N120B4

IQG1B600N120B4 PRELIMINARY DATASHEET IGBT Module in iQPaK 3 Package Single Switch FEATURES Ultra low loss IGBT Highly rugged SPT design Pb-free finished; RoHS compliant MAXIMUM RATINGS Parameter Symbol Value Units Collector-emitter voltage V 1200 V CES DC collector current, T =150oC jmax I 600 C o T =80 C C Peak collector current I 1200 A Cpuls o T =80 C C

 9.1. Size:126K  iqxprz
 iqg1b228n120b4.pdf pdf_icon

IQG1B600N120B4

IQG1B228N120B4 PRELIMINARY DATASHEET IGBT Module in iQpakTM3 Package Single Switch FEATURES Ultra low loss IGBT Highly rugged SPT design Pb free finished; RoHS compliant MAXIMUM RATINGS, at T = 25oC, unless otherwise specified j Parameter Symbol Value Units Collector-emitter voltage V 1200 V CES DC collector current, T =150oC jmax I 228 C o T =80 C C Peak collect

 9.2. Size:139K  iqxprz
 iqg1b300n120b4.pdf pdf_icon

IQG1B600N120B4

IQG1B300N120B4 PRELIMINARY DATASHEET IGBT Module in iQpak 3 Package Single Switch FEATURES Ultra low loss IGBT Highly rugged SPT design Pb free finished; RoHS compliant MAXIMUM RATINGS, at T = 25oC, unless otherwise specified j Parameter Symbol Value Units Collector-emitter voltage V 1200 V CES DC collector current, T =150oC jmax I 300 C o T =80 C C Peak collect

 9.3. Size:125K  iqxprz
 iqg1b150n120b4.pdf pdf_icon

IQG1B600N120B4

IQG1B150N120B4 PRELIMINARY DATASHEET IGBT Module in iQpakTM3 Package Single Switch FEATURES Ultra low loss IGBT Highly rugged SPT design Pb free finished; RoHS compliant MAXIMUM RATINGS, at T = 25oC, unless otherwise specified j Parameter Symbol Value Units Collector-emitter voltage V 1200 V CES DC collector current, T =150oC jmax I 150 C o T =80 C C Peak collect

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IKD15N60RF , IQAB50N60D1 , IQAB75N60A1 , IQAB75N60D1 , IQG1B150N120B4 , IQG1B228N120B4 , IQG1B300N120B4 , IQG1B456N120B4 , TGD30N40P , IQGB150N120GA4 , IQGB150N120GB4 , IQGB150N120I4 , IQGB228N120GA4 , IQGB228N120GB4 , IQGB228N120I4 , IQGB300N120GA4 , IQGB300N120I4 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.