IQG1B600N120B4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IQG1B600N120B4
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 600 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.87 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 99 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2840 pF
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
IQG1B600N120B4 Datasheet (PDF)
iqg1b600n120b4.pdf

IQG1B600N120B4PRELIMINARY DATASHEETIGBT Module in iQPaK3 PackageSingle SwitchFEATURES Ultra low loss IGBT Highly rugged SPT design Pb-free finished; RoHS compliantMAXIMUM RATINGSParameter Symbol Value UnitsCollector-emitter voltage V 1200 VCESDC collector current, T =150oCjmaxI 600CoT =80 CCPeak collector currentI 1200 ACpulsoT =80 CC
iqg1b228n120b4.pdf

IQG1B228N120B4PRELIMINARY DATASHEETIGBT Module in iQpakTM3 PackageSingle SwitchFEATURES Ultra low loss IGBT Highly rugged SPT design Pb free finished; RoHS compliantMAXIMUM RATINGS, at T = 25oC, unless otherwise specifiedjParameter Symbol Value UnitsCollector-emitter voltage V 1200 VCESDC collector current, T =150oCjmaxI 228CoT =80 CCPeak collect
iqg1b300n120b4.pdf

IQG1B300N120B4PRELIMINARY DATASHEETIGBT Module in iQpak3 PackageSingle SwitchFEATURES Ultra low loss IGBT Highly rugged SPT design Pb free finished; RoHS compliantMAXIMUM RATINGS, at T = 25oC, unless otherwise specifiedjParameter Symbol Value UnitsCollector-emitter voltage V 1200 VCESDC collector current, T =150oCjmaxI 300CoT =80 CCPeak collect
iqg1b150n120b4.pdf

IQG1B150N120B4PRELIMINARY DATASHEETIGBT Module in iQpakTM3 PackageSingle SwitchFEATURES Ultra low loss IGBT Highly rugged SPT design Pb free finished; RoHS compliantMAXIMUM RATINGS, at T = 25oC, unless otherwise specifiedjParameter Symbol Value UnitsCollector-emitter voltage V 1200 VCESDC collector current, T =150oCjmaxI 150CoT =80 CCPeak collect
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: IRG4BC15MD | APTGT100DA120D1 | STGW20V60F | IRGIB10B60KD1P | 6MBI100VX-120-50 | SKM150GAR123D | SMBL1G300US60
History: IRG4BC15MD | APTGT100DA120D1 | STGW20V60F | IRGIB10B60KD1P | 6MBI100VX-120-50 | SKM150GAR123D | SMBL1G300US60



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet