IQGB150N120GA4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IQGB150N120GA4
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 91 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 800 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 1560 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для IQGB150N120GA4
IQGB150N120GA4 Datasheet (PDF)
iqgb150n120ga4.pdf

IQGB150N120GA4PRELIMINARY DATASHEETIGBT Module in iQPak 2 PackagePFC-Boost configuration Ultra low loss IGBT Highly rugged SPT design Pb free finished; RoHS compliantMAXIMUM RATINGS, at T = 25oC, unless otherwise specifiedjParameter Symbol Value UnitsCollector-emitter voltage V 1200 VCESDC collector currentI 150CoT =80 CCPeak collector current I 30
iqgb150n120gb4.pdf

IQGB150N120GB4PRELIMINARY DATASHEETIGBT Module in iQPak2 PackagePFC-Buck configuration Ultra low loss IGBT Highly rugged SPT design Pb free finished; RoHS compliantMAXIMUM RATINGS, at T = 25oC, unless otherwise specifiedjParameter Symbol Value UnitsCollector-emitter voltage V 1200 VCESDC collector currentI 150CoT =80 CCPeak collector current I 300
iqgb150n120i4.pdf

IQGB150N120I4PRELIMINARY DATASHEET1200V 150A, IGBT Module in iQpak 2PackageHalf-Bridge Ultra low loss IGBT Highly rugged SPT design Pb free finished; RoHS compliantMAXIMUM RATINGS (per Leg) , at T = 25oC, unless otherwise specifiedjParameter Symbol Value UnitsCollector-emitter voltage V 1200 VCESDC collector currentI 150CoT =80 CCPeak collector c
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: FGHL75T65LQDT | FMG2G400US60 | OST50N65HMF | XD040Q120AT1S3 | IRG4BC40K
History: FGHL75T65LQDT | FMG2G400US60 | OST50N65HMF | XD040Q120AT1S3 | IRG4BC40K



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710