Справочник IGBT. IQGB150N120GA4

 

IQGB150N120GA4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IQGB150N120GA4
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 91 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 800 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 1560 nC
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для IQGB150N120GA4

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IQGB150N120GA4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  iqxprz
iqgb150n120ga4.pdfpdf_icon

IQGB150N120GA4

IQGB150N120GA4PRELIMINARY DATASHEETIGBT Module in iQPak 2 PackagePFC-Boost configuration Ultra low loss IGBT Highly rugged SPT design Pb free finished; RoHS compliantMAXIMUM RATINGS, at T = 25oC, unless otherwise specifiedjParameter Symbol Value UnitsCollector-emitter voltage V 1200 VCESDC collector currentI 150CoT =80 CCPeak collector current I 30

 2.1. Size:129K  iqxprz
iqgb150n120gb4.pdfpdf_icon

IQGB150N120GA4

IQGB150N120GB4PRELIMINARY DATASHEETIGBT Module in iQPak2 PackagePFC-Buck configuration Ultra low loss IGBT Highly rugged SPT design Pb free finished; RoHS compliantMAXIMUM RATINGS, at T = 25oC, unless otherwise specifiedjParameter Symbol Value UnitsCollector-emitter voltage V 1200 VCESDC collector currentI 150CoT =80 CCPeak collector current I 300

 3.1. Size:127K  iqxprz
iqgb150n120i4.pdfpdf_icon

IQGB150N120GA4

IQGB150N120I4PRELIMINARY DATASHEET1200V 150A, IGBT Module in iQpak 2PackageHalf-Bridge Ultra low loss IGBT Highly rugged SPT design Pb free finished; RoHS compliantMAXIMUM RATINGS (per Leg) , at T = 25oC, unless otherwise specifiedjParameter Symbol Value UnitsCollector-emitter voltage V 1200 VCESDC collector currentI 150CoT =80 CCPeak collector c

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: FGHL75T65LQDT | FMG2G400US60 | OST50N65HMF | XD040Q120AT1S3 | IRG4BC40K

 

 
Back to Top

 


 
.