IQGB228N120GB4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IQGB228N120GB4
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 228 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.87 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 140 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1200 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 2444 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для IQGB228N120GB4
IQGB228N120GB4 Datasheet (PDF)
iqgb228n120gb4.pdf

IQGB228N120GB4PRELIMINARY DATASHEETIGBT Module in iQPakTM2 PackagePFC-Buck configuration Ultra low loss IGBT Highly rugged SPT designMAXIMUM RATINGS, at T = 25oC, unless otherwise specifiedjParameter Symbol Value UnitsCollector-emitter voltage V 1200 VCESDC collector currentI 228CoT =80 CCPeak collector current I 456CMADiode forward currentI 200
iqgb228n120ga4.pdf

IQGB228N120GA4PRELIMINARY DATASHEETIGBT Module in iQPakTM2 PackagePFC-Boost configuration Ultra low loss IGBT Highly rugged SPT designMAXIMUM RATINGS, at T = 25oC, unless otherwise specifiedjParameter Symbol Value UnitsCollector-emitter voltageV 1200 VCESOTvj = 25 CDC collector currentI 228CoT =80 CCRepetitive peak collector current I 456 ACRMDi
iqgb228n120i4.pdf

IQGB228N120I4PRELIMINARY DATASHEETIGBT Module in iQpak 2 PackageHalf-Bridge Ultra low loss IGBT Highly rugged SPT design Pb free finished; RoHS compliantMAXIMUM RATINGS (per Leg), T = 25oC unless otherwise specifiedjParameter Symbol Value UnitsCollector-emitter voltage V 1200 VCESDC collector currentI 228CoT =80 CCPeak collector current I 456CMA
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: SKM100GB123D | TT030K065EQ | SKM195GB124DN | IXDH35N60BD1 | IXGT32N60BD1 | TGPF20N60FDR | APTGT300A120D3
History: SKM100GB123D | TT030K065EQ | SKM195GB124DN | IXDH35N60BD1 | IXGT32N60BD1 | TGPF20N60FDR | APTGT300A120D3



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210