IXYN120N120C3 - аналоги и описание IGBT

 

IXYN120N120C3 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXYN120N120C3

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1200 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 240 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 77 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 580 pF

Тип корпуса: SOT227

 Аналог (замена) для IXYN120N120C3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXYN120N120C3 даташит

 ..1. Size:212K  ixys
 ixyn120n120c3.pdf pdf_icon

IXYN120N120C3

Advance Technical Information 1200V XPTTM IGBTs VCES = 1200V IXYN120N120C3 GenX3TM IC110 = 120A VCE(sat) 3.20V tfi(typ) = 96ns High-Speed IGBTs for 20-50 kHz Switching E SOT-227B, miniBLOC E153432 E Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 175 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE

 6.1. Size:226K  ixys
 ixyn120n65b3d1.pdf pdf_icon

IXYN120N120C3

Advance Technical Information VCES = 650V XPTTM 650V IGBT IXYN120N65B3D1 IC110 = 120A GenX3TM w/ Diode VCE(sat) 1.90V tfi(typ) = 107ns Extreme Light Punch through IGBT for 10-30kHz Switching E SOT-227B, miniBLOC E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V G VCGR TJ

 6.2. Size:227K  ixys
 ixyn120n65c3d1.pdf pdf_icon

IXYN120N120C3

Advance Technical Information VCES = 650V XPTTM 650V IGBT IXYN120N65C3D1 IC110 = 100A GenX3TM w/ Diode VCE(sat) 2.8V tfi(typ) = 46ns Extreme Light Punch through IGBT for 20-60kHz Switching E SOT-227B, miniBLOC E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V G VCGR TJ =

 9.1. Size:215K  ixys
 ixyn100n65a3.pdf pdf_icon

IXYN120N120C3

Preliminary Technical Information VCES = 650V 650V XPTTM IGBT IXYN100N65A3 IC110 = 100A GenX3TM VCE(sat) 1.80V tfi(typ) = 122ns Ultra Low-Vsat PT IGBT for up to 5kHz Switching E SOT-227B, miniBLOC E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V G

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IQS2B57N120K4 , IQS2B75N120K4 , IXYN100N120B3H1 , IXYN100N120C3 , IXYN100N120C3H1 , IXYN100N65A3 , IXYN100N65B3D1 , IXYN100N65C3H1 , FGH60N60SMD , IXYN120N65B3D1 , IXYN120N65C3D1 , IXYN150N60B3 , IXYN75N65C3D1 , IXYN80N90C3H1 , IXYN82N120C3 , IXBF10N300C , IXBF14N300 .

History: IRG4BC15UD-L | IRG7IC30FD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.