Справочник IGBT. IXBF14N300

 

IXBF14N300 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXBF14N300
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3000 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 28 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 380 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 50 pF
   Тип корпуса: I4PAK
 

 Аналог (замена) для IXBF14N300

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXBF14N300 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  ixys
 ixbf14n300.pdf pdf_icon

IXBF14N300

Advance Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 3000VIXBF14N300BIMOSFETTM MonolithicIC90 = 14ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 2.7V(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3000 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VVGES Continuous 20 V12VGEM Transient

 9.1. Size:228K  ixys
 ixbf10n300c.pdf pdf_icon

IXBF14N300

Advance Technical InformationHigh Voltage,VCES = 3000VIXBF10N300CHigh Frequency,IC110 = 10ABiMOSFETTM MonolithicVCE(sat) 6.0VBipolar MOS Transistor(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMmbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3000 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VVGES Continuous 20 V12VGEM Transi

 9.2. Size:227K  ixys
 ixbf15n300c.pdf pdf_icon

IXBF14N300

Advance Technical InformationHigh Voltage,VCES = 3000VIXBF15N300CHigh Frequency,IC110 = 15ABiMOSFETTM MonolithicVCE(sat) 6.0VBipolar MOS Transistor(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3000 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VVGES Continuous 20 V12VGEM Tran

 9.3. Size:195K  ixys
 ixbf12n300.pdf pdf_icon

IXBF14N300

Preliminary Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 3000VIXBF12N300BIMOSFETTM MonolithicIC90 = 12ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 3.2V(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 3000 V1VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 V2VGES Continuous 20 V5VGEM Transie

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXYN120N120C3 , IXYN120N65B3D1 , IXYN120N65C3D1 , IXYN150N60B3 , IXYN75N65C3D1 , IXYN80N90C3H1 , IXYN82N120C3 , IXBF10N300C , RJP30E2DPP-M0 , IXBF15N300C , IXBF20N360 , IXBF22N300 , IXBF28N300 , IXBF50N360 , IXBH10N300 , IXBH10N300HV , IXBH14N300HV .

History: IXGH24N60C4D1 | MMG75H060XB6EN

 

 
Back to Top

 


 
.