Справочник IGBT. IXBF22N300

 

IXBF22N300 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXBF22N300
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3000 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 38 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 360 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 85 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 110 nC
   Тип корпуса: I4PAK

 Аналог (замена) для IXBF22N300

 

 

IXBF22N300 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  ixys
 ixbf22n300.pdf

IXBF22N300 IXBF22N300

Advance Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 3000VIXBF22N300BIMOSFETTM MonolithicIC90 = 22ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 2.7V(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3000 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VVGES Continuous 20 V12VGEM Transient

 9.1. Size:197K  ixys
 ixbf20n300.pdf

IXBF22N300 IXBF22N300

High Voltage, High GainVCES = 3000VIXBF20N300BIMOSFETTM MonolithicIC110 = 14ABipolar MOS Transistor VCE(sat) 3.2V (Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 3000 V1VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 V2Isolated Tab5VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 V1 = Ga

 9.2. Size:196K  ixys
 ixbf28n300.pdf

IXBF22N300 IXBF22N300

Advance Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 3000VIXBF28N300BIMOSFETTM MonolithicIC90 = 28ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 2.7V(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3000 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VVGES Continuous 20 V12VGEM Transient

 9.3. Size:229K  ixys
 ixbf20n360.pdf

IXBF22N300 IXBF22N300

Preliminary Technical InformationHigh Voltage,VCES = 3600VIXBF20N360High Frequency,IC110 = 18ABiMOSFETTM MonolithicVCE(sat) 3.4VBipolar MOS Transistor(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3600 V12VGES Continuous 20 VIsolat

Другие IGBT... IXYN150N60B3 , IXYN75N65C3D1 , IXYN80N90C3H1 , IXYN82N120C3 , IXBF10N300C , IXBF14N300 , IXBF15N300C , IXBF20N360 , FGA25N120ANTD , IXBF28N300 , IXBF50N360 , IXBH10N300 , IXBH10N300HV , IXBH14N300HV , IXBA10N300HV , IXBA12N300HV , IXBA14N300HV .

 

 
Back to Top