HGTG7N60A4 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: HGTG7N60A4

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 34 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 11 nS

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для HGTG7N60A4

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HGTG7N60A4 даташит

 ..1. Size:531K  1
 hgtd7n60a4s hgtg7n60a4 hgtp7n60a4.pdf pdf_icon

HGTG7N60A4

 ..2. Size:173K  fairchild semi
 hgtp7n60a4 hgtg7n60a4 hgt1s7n60a4.pdf pdf_icon

HGTG7N60A4

HGT1S7N60A4S9A, HGTG7N60A4 HGTP7N60A4 Data Sheet September 2004 600V, SMPS Series N-Channel IGBT Features The HGT1S7N60A4S9A, HGTG7N60A4 and HGTP7N60A4 >100kHz Operation at 390V, 7A are MOS gated high voltage switching devices combining 200kHz Operation at 390V, 5A the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These 600V Switching SOA Capability devices have t

 ..3. Size:242K  onsemi
 hgt1s7n60a4s9a hgtg7n60a4 hgtp7n60a4.pdf pdf_icon

HGTG7N60A4

HGT1S7N60A4S9A, HGTG7N60A4 HGTP7N60A4 Data Sheet September 2004 600V, SMPS Series N-Channel IGBT Features The HGT1S7N60A4S9A, HGTG7N60A4 and HGTP7N60A4 >100kHz Operation at 390V, 7A are MOS gated high voltage switching devices combining 200kHz Operation at 390V, 5A the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These 600V Switching SOA Capability devices have t

 0.1. Size:537K  onsemi
 hgtg7n60a4d hgtp7n60a4d hgt1s7n60a4ds.pdf pdf_icon

HGTG7N60A4

SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode 600 V HGTG7N60A4D, www.onsemi.com HGTP7N60A4D, HGT1S7N60A4DS The HGTG7N60A4D, HGTP7N60A4D and HGT1S7N60A4DS are MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGTG30N60C3D, HGTG34N100E2, HGTG40N60A4, HGTG40N60B3, HGTG40N60C3, HGTG40N60C3R, HGTG5N120BND, HGTG5N120CND, KGF75N65KDF, HGTG7N60A4D, HGTH12N40C1, HGTH12N40C1D, HGTH12N40E1, HGTH12N40E1D, HGTH12N50C1, HGTH12N50C1D, HGTH12N50E1