Справочник IGBT. HGTG7N60A4D

 

HGTG7N60A4D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HGTG7N60A4D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 34 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 11 nS
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для HGTG7N60A4D

 

 

HGTG7N60A4D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:537K  onsemi
 hgtg7n60a4d hgtp7n60a4d hgt1s7n60a4ds.pdf

HGTG7N60A4D HGTG7N60A4D

SMPS Series N-ChannelIGBT with Anti-ParallelHyperfast Diode600 VHGTG7N60A4D,www.onsemi.comHGTP7N60A4D,HGT1S7N60A4DSThe HGTG7N60A4D, HGTP7N60A4D and HGT1S7N60A4DSare MOS gated high voltage switching devices combining the bestfeatures of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have thehigh input impedance of a MOSFET and the low on-state conductionloss of a bipolar

 4.1. Size:531K  1
 hgtd7n60a4s hgtg7n60a4 hgtp7n60a4.pdf

HGTG7N60A4D HGTG7N60A4D

 4.2. Size:173K  fairchild semi
 hgtp7n60a4 hgtg7n60a4 hgt1s7n60a4.pdf

HGTG7N60A4D HGTG7N60A4D

HGT1S7N60A4S9A, HGTG7N60A4 HGTP7N60A4Data Sheet September 2004600V, SMPS Series N-Channel IGBT FeaturesThe HGT1S7N60A4S9A, HGTG7N60A4 and HGTP7N60A4 >100kHz Operation at 390V, 7Aare MOS gated high voltage switching devices combining 200kHz Operation at 390V, 5Athe best features of MOSFETs and bipolar transistors. These 600V Switching SOA Capabilitydevices have t

 4.3. Size:242K  onsemi
 hgt1s7n60a4s9a hgtg7n60a4 hgtp7n60a4.pdf

HGTG7N60A4D HGTG7N60A4D

HGT1S7N60A4S9A, HGTG7N60A4 HGTP7N60A4Data Sheet September 2004600V, SMPS Series N-Channel IGBT FeaturesThe HGT1S7N60A4S9A, HGTG7N60A4 and HGTP7N60A4 >100kHz Operation at 390V, 7Aare MOS gated high voltage switching devices combining 200kHz Operation at 390V, 5Athe best features of MOSFETs and bipolar transistors. These 600V Switching SOA Capabilitydevices have t

Другие IGBT... HGTG34N100E2 , HGTG40N60A4 , HGTG40N60B3 , HGTG40N60C3 , HGTG40N60C3R , HGTG5N120BND , HGTG5N120CND , HGTG7N60A4 , GT30F132 , HGTH12N40C1 , HGTH12N40C1D , HGTH12N40E1 , HGTH12N40E1D , HGTH12N50C1 , HGTH12N50C1D , HGTH12N50E1 , HGTH12N50E1D .

 

 
Back to Top