Справочник IGBT. IXBH42N250

 

IXBH42N250 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXBH42N250
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 104 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 330 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 170 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXBH42N250 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  ixys
 ixbh42n250.pdf pdf_icon

IXBH42N250

Advance Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 2500VIXBH42N250BIMOSFETTM MonolithicIC110 = 42ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 3.0VTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 2500 VGC TabVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 2500 VEVGES Continuous 25 VG = Gate C = CollectorVGEM Transient 35

 7.1. Size:116K  ixys
 ixbh42n170a.pdf pdf_icon

IXBH42N250

Advance Technical InformationBIMOSFETTM MonolithicIXBH 42N170A VCES = 1700 VBipolar MOS TransistorIXBT 42N170A IC25 = 42 AVCE(sat) = 6.0 Vtfi = 50 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXBT)VCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VGVGES Continuous 20 VE(TAB)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C42 ATO-247 AD (IXBH)

 7.2. Size:175K  ixys
 ixbh42n170 ixbt42n170.pdf pdf_icon

IXBH42N250

High Voltage, High GainVCES = 1700VIXBH42N170BIMOSFETTM MonolithicIXBT42N170IC90 = 42ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 2.8VTO-247 (IXBH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 VC (TAB)CEIC25 TC = 25C 80 AILRMS Termin

 7.3. Size:117K  ixys
 ixbh42n170a ixbt42n170a.pdf pdf_icon

IXBH42N250

Advance Technical InformationBIMOSFETTM MonolithicIXBH 42N170A VCES = 1700 VBipolar MOS TransistorIXBT 42N170A IC25 = 42 AVCE(sat) = 6.0 Vtfi = 50 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXBT)VCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VGVGES Continuous 20 VE(TAB)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C42 ATO-247 AD (IXBH)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: MIXA60W1200TED | XD040Q120AT1S3 | APTGT100A120D1 | APT50GN120L2DQ2G | 2MBI150VA-120-50 | 2MBI150PC-140 | SKM500GA123D

 

 
Back to Top

 


 
.