IXBJ40N140 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXBJ40N140
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1400 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 33 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 6.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 220 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 130 nC
Тип корпуса: TO268
Аналог (замена) для IXBJ40N140
IXBJ40N140 Datasheet (PDF)
ixbj40n140.pdf
High Voltage BIMOSFETTM IXBJ 40N140 VCES = 1400/1600 VMonolithic Bipolar IXBJ 40N160 IC25 = 33 AMOS Transistor VCE(sat) = 7.1 Vtfi = 40 nsN-Channel, Enhancement ModeCGESymbol Test Conditions Maximum Ratings40N140 40N160 TO-268VCES TJ = 25C to 150C 1400 1600 VGCVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1400 1600 VEC (TAB)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30
ixbj40n140-160.pdf
High Voltage BIMOSFETTM IXBJ 40N140 VCES = 1400/1600 VMonolithic Bipolar IXBJ 40N160 IC25 = 33 AMOS Transistor VCE(sat) = 7.1 Vtfi = 40 nsN-Channel, Enhancement ModeCGESymbol Test Conditions Maximum Ratings40N140 40N160 TO-268VCES TJ = 25C to 150C 1400 1600 VGCVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1400 1600 VEC (TAB)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30
ixbj40n160.pdf
High Voltage BIMOSFETTM IXBJ 40N140 VCES = 1400/1600 VMonolithic Bipolar IXBJ 40N160 IC25 = 33 AMOS Transistor VCE(sat) = 7.1 Vtfi = 40 nsN-Channel, Enhancement ModeCGESymbol Test Conditions Maximum Ratings40N140 40N160 TO-268VCES TJ = 25C to 150C 1400 1600 VGCVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1400 1600 VEC (TAB)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260 | ksc2383 | 2n3773 | b772 transistor