Справочник IGBT. IXXN200N60C3H1

 

IXXN200N60C3H1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXXN200N60C3H1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 780 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 570 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 315 nC
   Тип корпуса: SOT227

 Аналог (замена) для IXXN200N60C3H1

 

 

IXXN200N60C3H1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  ixys
 ixxn200n60c3h1.pdf

IXXN200N60C3H1 IXXN200N60C3H1

Preliminary Technical InformationVCES = 600VXPTTM 600V IGBT IXXN200N60C3H1IC110 = 98AGenX3TM w/ Sonic VCE(sat) 2.1V Diodetfi(typ) = 80nsExtreme Light Punch ThroughEIGBT for 20-60kHz SwitchingSOT-227B E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsE VCES TJ = 25C to 150C 600 VGVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continu

 4.1. Size:178K  ixys
 ixxn200n60b3.pdf

IXXN200N60C3H1 IXXN200N60C3H1

Advance Technical InformationVCES = 600VXPTTM 600V IGBT IXXN200N60B3IC110 = 160AGenX3TM VCE(sat) 1.7V tfi(typ) = 110nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 10-30kHz SwitchingESOT-227B, miniBLOC E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsE VCES TJ = 25C to 175C 600 VGVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 V

 4.2. Size:188K  ixys
 ixxn200n60b3h1.pdf

IXXN200N60C3H1 IXXN200N60C3H1

Advance Technical InformationVCES = 600VXPTTM 600V IGBT IXXN200N60B3H1IC110 = 98AGenX3TM w/Diode VCE(sat) 1.7V tfi(typ) = 110nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 10-30kHz SwitchingSOT-227B, miniBLOC E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsE VCES TJ = 25C to 150C 600 VGVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top