IXXN200N60C3H1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXXN200N60C3H1
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 780 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 570 pF
Тип корпуса: SOT227
- подбор IGBT транзистора по параметрам
IXXN200N60C3H1 Datasheet (PDF)
ixxn200n60c3h1.pdf

Preliminary Technical InformationVCES = 600VXPTTM 600V IGBT IXXN200N60C3H1IC110 = 98AGenX3TM w/ Sonic VCE(sat) 2.1V Diodetfi(typ) = 80nsExtreme Light Punch ThroughEIGBT for 20-60kHz SwitchingSOT-227B E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsE VCES TJ = 25C to 150C 600 VGVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continu
ixxn200n60b3.pdf

Advance Technical InformationVCES = 600VXPTTM 600V IGBT IXXN200N60B3IC110 = 160AGenX3TM VCE(sat) 1.7V tfi(typ) = 110nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 10-30kHz SwitchingESOT-227B, miniBLOC E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsE VCES TJ = 25C to 175C 600 VGVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 V
ixxn200n60b3h1.pdf

Advance Technical InformationVCES = 600VXPTTM 600V IGBT IXXN200N60B3H1IC110 = 98AGenX3TM w/Diode VCE(sat) 1.7V tfi(typ) = 110nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 10-30kHz SwitchingSOT-227B, miniBLOC E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsE VCES TJ = 25C to 150C 600 VGVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous
Другие IGBT... IXGQ240N30PB , IXGQ85N33PCD1 , IXGQ90N27PB , IXXN100N60B3H1 , IXXN110N65B4H1 , IXXN110N65C4H1 , IXXN200N60B3 , IXXN200N60B3H1 , GT30F132 , IXXH110N65C4 , IXXH150N60C3 , IXXH30N60B3 , IXXH30N60C3 , IXXH30N65B4 , IXXH40N65B4 , IXXH40N65B4H1 , IXXH60N65B4 .
History: IXGR40N60B2D1 | FGPF4565 | APT33GF120B2RD | 4MBI400VG-060R-50 | DIM400DCM17-A | IXBF32N300 | SM2G100US60
History: IXGR40N60B2D1 | FGPF4565 | APT33GF120B2RD | 4MBI400VG-060R-50 | DIM400DCM17-A | IXBF32N300 | SM2G100US60



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135 | d880