IXXH60N65B4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXXH60N65B4
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 455 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 116 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 120 pF
Тип корпуса: TO247
- подбор IGBT транзистора по параметрам
IXXH60N65B4 Datasheet (PDF)
ixxh60n65b4.pdf

Advance Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXXH60N65B4GenX4TM IC110 = 60A VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 72nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VGVGES Continuous 20 VC TabEVGEM Transient
ixxh60n65b4h1.pdf

Advance Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXXH60N65B4H1GenX4TM w/ Diode IC100 = 60A VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 72nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VGVGES Continuous 20 VC TabEVGEM T
ixxh60n65c4.pdf

Advance Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXXH60N65C4GenX4TM IC110 = 60A VCE(sat) 2.2V Extreme Light Punch Through tfi(typ) = 30nsIGBT for 20-60 kHz SwitchingSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 ADVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGC Ta
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: APT40GP90BG | IRG7PH28UD1 | MMG150W060XB6EN | SKM195GAL062D | MG25Q2YS40 | SM2G200US60
History: APT40GP90BG | IRG7PH28UD1 | MMG150W060XB6EN | SKM195GAL062D | MG25Q2YS40 | SM2G200US60



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033