IXXH60N65B4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXXH60N65B4
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 455 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 116 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 120 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 95 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IXXH60N65B4
IXXH60N65B4 Datasheet (PDF)
ixxh60n65b4.pdf

Advance Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXXH60N65B4GenX4TM IC110 = 60A VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 72nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VGVGES Continuous 20 VC TabEVGEM Transient
ixxh60n65b4h1.pdf

Advance Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXXH60N65B4H1GenX4TM w/ Diode IC100 = 60A VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 72nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VGVGES Continuous 20 VC TabEVGEM T
ixxh60n65c4.pdf

Advance Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXXH60N65C4GenX4TM IC110 = 60A VCE(sat) 2.2V Extreme Light Punch Through tfi(typ) = 30nsIGBT for 20-60 kHz SwitchingSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 ADVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGC Ta
Другие IGBT... IXXN200N60C3H1 , IXXH110N65C4 , IXXH150N60C3 , IXXH30N60B3 , IXXH30N60C3 , IXXH30N65B4 , IXXH40N65B4 , IXXH40N65B4H1 , IRGB20B60PD1 , IXXH60N65B4H1 , IXXH60N65C4 , IXGH10N60 , IXGH10N60A , IXGH40N60 , IXGH40N60A , IXGM40N60 , IXGM40N60A .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033