Справочник IGBT. IXGH10N60

 

IXGH10N60 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGH10N60
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF
   Тип корпуса: TO247AD
 

 Аналог (замена) для IXGH10N60

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH10N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:42K  ixys
 ixgh10n60.pdf pdf_icon

IXGH10N60

Preliminary dataVCES IC25 VCE(sat)Low VCE(sat) IGBT IXGA/IXGP/IXGH10N60 600 V 20 A 2.5 VHigh speed IGBT IXGA/IXGP/IXGH10N60A 600 V 20 A 3.0 VTO-220AB(IXGP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGCEVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VTO-263 AA (IXGA)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGIC25 TC = 25C20 A C (TAB)E

 0.1. Size:56K  ixys
 ixgp10n60-a ixga10n60-a ixgh10n60-a.pdf pdf_icon

IXGH10N60

Preliminary dataVCES IC25 VCE(sat)Low VCE(sat) IGBT IXGA/IXGP/IXGH10N60 600 V 20 A 2.5 VHigh speed IGBT IXGA/IXGP/IXGH10N60A 600 V 20 A 3.0 VTO-220AB(IXGP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGCEVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VTO-263 AA (IXGA)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGIC25 TC = 25C20 A C (TAB)E

 0.2. Size:42K  ixys
 ixgh10n60a.pdf pdf_icon

IXGH10N60

Preliminary dataVCES IC25 VCE(sat)Low VCE(sat) IGBT IXGA/IXGP/IXGH10N60 600 V 20 A 2.5 VHigh speed IGBT IXGA/IXGP/IXGH10N60A 600 V 20 A 3.0 VTO-220AB(IXGP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGCEVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VTO-263 AA (IXGA)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGIC25 TC = 25C20 A C (TAB)E

 7.1. Size:224K  ixys
 ixgh10n300.pdf pdf_icon

IXGH10N60

Advance Technical InformationHigh Voltage IGBT VCES = 3000VIXGH10N300IC90 = 10A VCE(sat) 3.5V For Capacitor DischargeApplicationsTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3000 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VG (TAB)VGES Continuous 20 VCEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 18 AG = Gate C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXXH30N60B3 , IXXH30N60C3 , IXXH30N65B4 , IXXH40N65B4 , IXXH40N65B4H1 , IXXH60N65B4 , IXXH60N65B4H1 , IXXH60N65C4 , RJH60F7BDPQ-A0 , IXGH10N60A , IXGH40N60 , IXGH40N60A , IXGM40N60 , IXGM40N60A , IXGP10N60 , IXGP10N60A , IXXH80N65B4 .

History: DGW30N65CTL | DIM2400ESM12-A | AFGHL40T65SQ | DGP15N60CTL

 

 
Back to Top

 


 
.