Справочник IGBT. IXXX100N60B3H1

 

IXXX100N60B3H1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXXX100N60B3H1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 695 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 475 pF
   Тип корпуса: PLUS247
 

 Аналог (замена) для IXXX100N60B3H1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXXX100N60B3H1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  ixys
 ixxx100n60b3h1.pdf pdf_icon

IXXX100N60B3H1

VCES = 600VXPTTM 600V IXXK100N60B3H1IC100 = 100AGenX3TM w/ Diode IXXX100N60B3H1 VCE(sat) 1.80V tfi(typ) = 150nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 10-30kHz SwitchingTO-264 (IXXK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VGCVGES Continuous 20 VETabVGEM Transient 30

 4.1. Size:242K  ixys
 ixxk100n60c3h1 ixxx100n60c3h1.pdf pdf_icon

IXXX100N60B3H1

Preliminary Technical InformationVCES = 600VXPTTM 600V IXXK100N60C3H1IC90 = 100AGenX3TM w/ Diode IXXX100N60C3H1 VCE(sat) 2.20V tfi(typ) = 75nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-264 (IXXK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 V GCVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VETabVGES Contin

 4.2. Size:240K  ixys
 ixxx100n60c3h1.pdf pdf_icon

IXXX100N60B3H1

Preliminary Technical InformationVCES = 600VXPTTM 600V IXXK100N60C3H1IC90 = 100AGenX3TM w/ Diode IXXX100N60C3H1 VCE(sat) 2.20V tfi(typ) = 75nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-264 (IXXK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 V GCVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VETabVGES Contin

 9.1. Size:208K  ixys
 ixxx160n65c4.pdf pdf_icon

IXXX100N60B3H1

Preliminary Technical InformationVCES = 650VXPTTM 650V IGBTs IXXK160N65C4IC110 = 160AGenX4TM IXXX160N65C4 VCE(sat) 2.1V tfi(typ) = 30nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-264 (IXXK)GCSymbol Test Conditions Maximum RatingsETabVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VPLUS247 (IXXX)V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: ISL9V3036S3S | STGD3HF60HDT4 | MG25Q6ES50A | SKM400GA062D | FGH75T65SQDT | SRE100N065FSUD6 | SKM145GB176D

 

 
Back to Top

 


 
.