IXXX110N65B4H1 - аналоги и описание IGBT

 

IXXX110N65B4H1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXXX110N65B4H1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 880 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 240 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 46 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 440 pF

Тип корпуса: PLUS247

 Аналог (замена) для IXXX110N65B4H1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXXX110N65B4H1 даташит

 ..1. Size:259K  ixys
 ixxx110n65b4h1.pdf pdf_icon

IXXX110N65B4H1

VCES = 650V XPTTM 650V GenX4TM IXXK110N65B4H1 IC110 = 110A w/ Sonic Diode IXXX110N65B4H1 VCE(sat) 2.1V tfi(typ) = 85ns Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching TO-264 (IXXK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G C VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V E VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 650 V Tab VGES Continuous 20 V PLUS247 (IXXX)

 5.1. Size:313K  ixys
 ixxx110n60b4h1.pdf pdf_icon

IXXX110N65B4H1

Advance Technical Information VCES = 600V XPTTM 600V IXXK110N60B4H1 IC100 = 110A GenX4TM w/ Diode IXXX110N60B4H1 VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 27ns Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30kHz Switching TO-264 (IXXK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V C E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V Tab VGES Continuous

 9.1. Size:208K  ixys
 ixxx160n65c4.pdf pdf_icon

IXXX110N65B4H1

Preliminary Technical Information VCES = 650V XPTTM 650V IGBTs IXXK160N65C4 IC110 = 160A GenX4TM IXXX160N65C4 VCE(sat) 2.1V tfi(typ) = 30ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching TO-264 (IXXK) G C Symbol Test Conditions Maximum Ratings E Tab VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 650 V PLUS247 (IXXX) V

 9.2. Size:238K  ixys
 ixxx100n60b3h1.pdf pdf_icon

IXXX110N65B4H1

VCES = 600V XPTTM 600V IXXK100N60B3H1 IC100 = 100A GenX3TM w/ Diode IXXX100N60B3H1 VCE(sat) 1.80V tfi(typ) = 150ns Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching TO-264 (IXXK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V G C VGES Continuous 20 V E Tab VGEM Transient 30

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXXK160N65B4 , IXXK160N65C4 , IXXK200N65B4 , IXXK300N60B3 , IXXK300N60C3 , IXXQ30N60B3M , IXXX100N60B3H1 , IXXX110N60B4H1 , GT30F132 , IXXX160N65B4 , IXXX160N65C4 , IXXX200N65B4 , IXXX300N60C3 , IXYH100N65B3 , IXYH100N65C3 , IXYH120N65B3 , IXYH120N65C3 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.