Справочник IGBT. 1MBH30D-060

 

1MBH30D-060 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 1MBH30D-060
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 58 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 600 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 400 pF
   Тип корпуса: TO3PL
 

 Аналог (замена) для 1MBH30D-060

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

1MBH30D-060 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  fuji
 1mbh30d-060.pdf pdf_icon

1MBH30D-060

1MB30-060,1MBH30D-060,Molded IGBT600V / 30AMolded PackageFeatures Small molded package Low power loss Soft switching with low switching surge and noise High reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.) Comprehensive line-upApplications Inverter for Motor drive AC and DC Servo drive amplifier Uninterruptible power supplyEquivalent Circuit Schematic

Другие IGBT... 1MBH10D-060 , 1MBH10D-120 , 1MBH15-120 , 1MBH15D-060 , 1MBH15D-120 , 1MBH20D-060 , 1MBH25-120 , 1MBH25D-120 , IHW20N135R5 , 1MBH50-060 , 1MBH50D-060 , HCKW40N65H2 , HCKW60N65BH2A , HCKW60N65CH2A , HCKW75N65BH2 , HCKW75N65FH2 , 2N6975 .

History: SGTP75V120FDB2PW4 | MMG400D170B6EN | IXXX300N60C3 | IQGB300N60I4 | AOB10B65M1 | BT25T120CKR | STGW15H120DF2

 

 
Back to Top

 


 
.