Справочник IGBT. IXXX300N60C3

 

IXXX300N60C3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXXX300N60C3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 510 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 85 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 743 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 438 nC
   Тип корпуса: PLUS247
 

 Аналог (замена) для IXXX300N60C3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXXX300N60C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:223K  ixys
 ixxx300n60c3.pdf pdf_icon

IXXX300N60C3

Advance Technical InformationVCES = 600VXPTTM 600V IGBTs IXXK300N60C3IC110 = 300AGenX3TM IXXX300N60C3 VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 82nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-264 (IXXK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 V GCVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VETabVGES Continuous 20 V

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top

 


 
.