Справочник IGBT. IXXX300N60C3

 

IXXX300N60C3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXXX300N60C3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 510 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 85 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 743 pF
   Тип корпуса: PLUS247
 

 Аналог (замена) для IXXX300N60C3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXXX300N60C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:223K  ixys
 ixxx300n60c3.pdf pdf_icon

IXXX300N60C3

Advance Technical InformationVCES = 600VXPTTM 600V IGBTs IXXK300N60C3IC110 = 300AGenX3TM IXXX300N60C3 VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 82nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-264 (IXXK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 V GCVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VETabVGES Continuous 20 V

Другие IGBT... IXXK300N60C3 , IXXQ30N60B3M , IXXX100N60B3H1 , IXXX110N60B4H1 , IXXX110N65B4H1 , IXXX160N65B4 , IXXX160N65C4 , IXXX200N65B4 , GT30F124 , IXYH100N65B3 , IXYH100N65C3 , IXYH120N65B3 , IXYH120N65C3 , IXYH20N65B3 , IXYH20N65C3 , IXYH24N90C3 , IXYH24N90C3D1 .

History: STGW15H120DF2 | MIXA50WB600TED | BT25T120CKR | IQGB300N60I4 | DGW40N65CTL | AOB10B65M1

 

 
Back to Top

 


 
.