IXXX300N60C3 - аналоги и описание IGBT

 

IXXX300N60C3 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXXX300N60C3

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 510 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 85 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 743 pF

Тип корпуса: PLUS247

 Аналог (замена) для IXXX300N60C3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXXX300N60C3 даташит

 ..1. Size:223K  ixys
 ixxx300n60c3.pdf pdf_icon

IXXX300N60C3

Advance Technical Information VCES = 600V XPTTM 600V IGBTs IXXK300N60C3 IC110 = 300A GenX3TM IXXX300N60C3 VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 82ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching TO-264 (IXXK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 600 V G C VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 600 V E Tab VGES Continuous 20 V

Другие IGBT... IXXK300N60C3 , IXXQ30N60B3M , IXXX100N60B3H1 , IXXX110N60B4H1 , IXXX110N65B4H1 , IXXX160N65B4 , IXXX160N65C4 , IXXX200N65B4 , GT30F124 , IXYH100N65B3 , IXYH100N65C3 , IXYH120N65B3 , IXYH120N65C3 , IXYH20N65B3 , IXYH20N65C3 , IXYH24N90C3 , IXYH24N90C3D1 .

History: IXXX160N65C4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.