Справочник IGBT. IXYP50N65C3

 

IXYP50N65C3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXYP50N65C3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 132 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 135 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 86 nC
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IXYP50N65C3

 

 

IXYP50N65C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  ixys
 ixyp50n65c3.pdf

IXYP50N65C3 IXYP50N65C3

Preliminary Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXYA50N65C3GenX3TM IC110 = 50AIXYP50N65C3 VCE(sat) 2.10V IXYH50N65C3tfi(typ) = 26nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-263 (IXYA)GEC (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXYP)VCES TJ = 25C to 175

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , GT30F126 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top