IXYH40N65B3 - аналоги и описание IGBT

 

IXYH40N65B3 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXYH40N65B3

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 86 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 37 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 123 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXYH40N65B3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXYH40N65B3 даташит

 ..1. Size:170K  ixys
 ixyh40n65b3.pdf pdf_icon

IXYH40N65B3

Advance Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXYH40N65B3 GenX3TM IC110 = 40A VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 73ns Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30kHz Switching Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXYH) VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 650 V VGES Con

 0.1. Size:197K  ixys
 ixyh40n65b3d1.pdf pdf_icon

IXYH40N65B3

Advance Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXYH40N65B3D1 GenX3TM w/ Diode IC110 = 40A IXYQ40N65B3D1 VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 73ns Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30kHz Switching TO-247 (IXYH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR TJ = 25 C to 175 C,

 5.1. Size:197K  ixys
 ixyh40n65c3d1.pdf pdf_icon

IXYH40N65B3

Advance Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXYH40N65C3D1 GenX3TM w/ Diode IC110 = 40A IXYQ40N65C3D1 VCE(sat) 2.35V tfi(typ) = 20ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60 kHz Switching TO-247 (IXYH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR TJ = 25 C to 175

 5.2. Size:183K  ixys
 ixyh40n65c3h1.pdf pdf_icon

IXYH40N65B3

XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXYH40N65C3H1 GenX3TM w/ Sonic Diode IC110 = 40A VCE(sat) 2.35V tfi(typ) = 52ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60 kHz Switching TO-247 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 650 V G VGES Continuous 20 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXYT20N120C3D1HV , IXYT30N450HV , IXYT30N65C3H1HV , IXYX100N120B3 , IXYX100N65B3D1 , IXYX100N65C3D1 , IXYX120N120B3 , IXYX40N450HV , MBQ50T65FDSC , IXYH40N65B3D1 , IXYH40N65C3 , IXYH40N65C3D1 , IXYH40N65C3H1 , IXYH40N90C3 , IXYH40N90C3D1 , IXYH50N65C3 , IXYH50N65C3D1 .

History: IXYX100N65C3D1

 

 

 


 
↑ Back to Top
.