Справочник IGBT. IXYH40N65B3D1

 

IXYH40N65B3D1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXYH40N65B3D1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 86 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 37 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 210 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 68 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXYH40N65B3D1

 

 

IXYH40N65B3D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  ixys
 ixyh40n65b3d1.pdf

IXYH40N65B3D1 IXYH40N65B3D1

Advance Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXYH40N65B3D1GenX3TM w/ Diode IC110 = 40AIXYQ40N65B3D1 VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 73nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30kHz SwitchingTO-247 (IXYH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C,

 3.1. Size:170K  ixys
 ixyh40n65b3.pdf

IXYH40N65B3D1 IXYH40N65B3D1

Advance Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXYH40N65B3GenX3TM IC110 = 40A VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 73nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30kHz SwitchingSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXYH)VCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VVGES Con

 5.1. Size:197K  ixys
 ixyh40n65c3d1.pdf

IXYH40N65B3D1 IXYH40N65B3D1

Advance Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXYH40N65C3D1GenX3TM w/ Diode IC110 = 40AIXYQ40N65C3D1 VCE(sat) 2.35V tfi(typ) = 20nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60 kHz SwitchingTO-247 (IXYH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175

 5.2. Size:183K  ixys
 ixyh40n65c3h1.pdf

IXYH40N65B3D1 IXYH40N65B3D1

XPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXYH40N65C3H1GenX3TM w/ Sonic Diode IC110 = 40A VCE(sat) 2.35V tfi(typ) = 52nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60 kHz SwitchingTO-247Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VGVGES Continuous 20 V

 5.3. Size:171K  ixys
 ixyh40n65c3.pdf

IXYH40N65B3D1 IXYH40N65B3D1

Preliminary Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXYH40N65C3GenX3TM IC110 = 40A VCE(sat) 2.35V tfi(typ) = 20nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VGV

Другие IGBT... IXYT30N450HV , IXYT30N65C3H1HV , IXYX100N120B3 , IXYX100N65B3D1 , IXYX100N65C3D1 , IXYX120N120B3 , IXYX40N450HV , IXYH40N65B3 , FGPF4633 , IXYH40N65C3 , IXYH40N65C3D1 , IXYH40N65C3H1 , IXYH40N90C3 , IXYH40N90C3D1 , IXYH50N65C3 , IXYH50N65C3D1 , IXYH50N65C3H1 .

 

 
Back to Top