Справочник IGBT. IXYH40N90C3

 

IXYH40N90C3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXYH40N90C3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 105 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 54 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 160 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXYH40N90C3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXYH40N90C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  ixys
 ixyh40n90c3.pdf pdf_icon

IXYH40N90C3

Advance Technical Information900V XPTTM IGBT VCES = 900VIXYH40N90C3GenX3TM IC110 = 40A VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 110nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 900 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 900 VGVGES Continuous 20 VC TabEVGEM Transient 30 VIC25 TC =

 0.1. Size:184K  ixys
 ixyh40n90c3d1.pdf pdf_icon

IXYH40N90C3

Advance Technical Information900V XPTTM IGBT VCES = 900VIXYH40N90C3D1GenX3TM w/ Diode IC110 = 40A VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 110nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 900 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 900 VGVGES Continuous 20 VC TabEVGEM Transient 30 V

 7.1. Size:231K  ixys
 ixyh40n120b3d1.pdf pdf_icon

IXYH40N90C3

1200V XPTTM IGBT VCES = 1200VIXYH40N120B3D1GenX3TM w/ Diode IC110 = 40A VCE(sat) 2.9V tfi(typ) = 183nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VGVGES Continuous 20 VC TabEVGEM Transient 30 VIC25 TC

 7.2. Size:215K  ixys
 ixyh40n120b3.pdf pdf_icon

IXYH40N90C3

1200V XPTTM IGBT VCES = 1200VIXYH40N120B3GenX3TM IC110 = 40A VCE(sat) 2.9V tfi(typ) = 183nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsGC TabVCES TJ = 25C to 175C 1200 V EVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 1200 VG = Gate C = CollectorVGES Continuous 20 VE = Emitter Tab = C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXYX100N65C3D1 , IXYX120N120B3 , IXYX40N450HV , IXYH40N65B3 , IXYH40N65B3D1 , IXYH40N65C3 , IXYH40N65C3D1 , IXYH40N65C3H1 , CRG60T60AN3H , IXYH40N90C3D1 , IXYH50N65C3 , IXYH50N65C3D1 , IXYH50N65C3H1 , IXYH60N90C3 , IXYH75N65C3 , IXYH75N65C3D1 , IXYH75N65C3H1 .

 

 
Back to Top

 


 
.