Справочник IGBT. IXYH50N65C3

 

IXYH50N65C3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXYH50N65C3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 132 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 135 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXYH50N65C3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXYH50N65C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  ixys
 ixyh50n65c3.pdf pdf_icon

IXYH50N65C3

Preliminary Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXYA50N65C3GenX3TM IC110 = 50AIXYP50N65C3 VCE(sat) 2.10V IXYH50N65C3tfi(typ) = 26nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-263 (IXYA)GEC (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXYP)VCES TJ = 25C to 175

 0.1. Size:251K  ixys
 ixyh50n65c3h1.pdf pdf_icon

IXYH50N65C3

Preliminary Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXYH50N65C3H1GenX3TM w/ Sonic IC110 = 50ADiode VCE(sat) 2.10V tfi(typ) = 27nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-247ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1

 0.2. Size:188K  ixys
 ixyh50n65c3d1.pdf pdf_icon

IXYH50N65C3

Advance Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXYH50N65C3D1GenX3TM w/ Diode IC110 = 50A VCE(sat) 2.10V tfi(typ) = 26nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60 kHz SwitchingTO-247 (IXYH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M

 7.1. Size:184K  ixys
 ixyh50n120c3d1.pdf pdf_icon

IXYH50N65C3

1200V XPTTM IGBT VCES = 1200VIXYH50N120C3D1GenX3TM w/ Diode IC100 = 50A VCE(sat) 3.5V tfi(typ) = 43nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VGVGES Continuous 20 VC TabEVG

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: CT20ASL-8

 

 
Back to Top

 


 
.