IXYP15N65C3D1M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IXYP15N65C3D1M  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 18 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 52 pF

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IXYP15N65C3D1M

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXYP15N65C3D1M даташит

 ..1. Size:195K  ixys
 ixyp15n65c3d1m.pdf pdf_icon

IXYP15N65C3D1M

Preliminary Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXYP15N65C3D1M GenX3TM w/Diode IC110 = 9A VCE(sat) 2.5V (Electrically Isolated Tab) tfi(typ) = 28ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching OVERMOLDED TO-220 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR

 1.1. Size:222K  ixys
 ixyp15n65c3d1.pdf pdf_icon

IXYP15N65C3D1M

Preliminary Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXYA15N65C3D1 GenX3TM w/Diode IC110 = 15A IXYP15N65C3D1 VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 28ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching TO-263 AA (IXYA) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings E C (Tab) VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR

 3.1. Size:190K  ixys
 ixyp15n65c3.pdf pdf_icon

IXYP15N65C3D1M

Preliminary Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXYP15N65C3 GenX3TM IC110 = 15A VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 28ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching TO-220 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 650 V G C Tab

 9.1. Size:217K  ixys
 ixyp10n65c3d1.pdf pdf_icon

IXYP15N65C3D1M

Preliminary Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXYP10N65C3D1 GenX3TM w/Diode IC110 = 9A VCE(sat) 2.50V tfi(typ) = 23ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching TO-220 Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V C Tab E VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXYK120N120B3, IXYK140N90C3, IXYL60N450, IXYP10N65C3, IXYP10N65C3D1, IXYP10N65C3D1M, IXYP15N65C3, IXYP15N65C3D1, CRG75T60AK3HD, IXGR72N60C3, IXGT25N250HV, IXGT6N170AHV, IXGX50N60AU1S, IXXA30N65C3HV, IXXR100N60B3H1, IXXR110N60B4H1, IXXR110N65B4H1