IXGT25N250HV - аналоги и описание IGBT

 

IXGT25N250HV - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGT25N250HV

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2500 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 233 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 75 pF

Тип корпуса: TO268-2L

 Аналог (замена) для IXGT25N250HV

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGT25N250HV даташит

 ..1. Size:188K  ixys
 ixgt25n250hv.pdf pdf_icon

IXGT25N250HV

Advance Technical Information VCES = 2500V High Voltage IGBT IXGT25N250HV IC110 = 25A For Capacitor Discharge Applications VCE(sat) 2.9V TO-268 G E Symbol Test Conditions Maximum Ratings C (Tab) VCES TJ = 25 C to 150 C 2500 V G = Gate C = Collector VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 2500 V E = Emiiter Tab = Collector VGES Continuous 20 V VGEM Tra

 4.1. Size:173K  ixys
 ixgt25n250.pdf pdf_icon

IXGT25N250HV

Preliminary Technical Information IXGH25N250 VCES = 2500 V High Voltage IGBT IXGT25N250 IC25 = 60 A For Capacitor Discharge Applications IXGV25N250S VCE(sat) 2.9 V TO-247 (IXGH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 2500 V C C (TAB) E VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 2500 V VGES Continuous 20 V TO-268 (IXGT) VGEM Transi

 7.1. Size:138K  ixys
 ixgt25n160.pdf pdf_icon

IXGT25N250HV

VCES = 1600 V IXGH 25N160 High Voltage IGBT IC25 = 75 A IXGT 25N160 VCE(sat)= 2.5 V For Capacitor Discharge Applications Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 1600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1600 V VGES Continuous 20 V G C C (TAB) VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C 75 A TO-268 (IXGT) IC110

 7.2. Size:142K  ixys
 ixgh25n160 ixgt25n160.pdf pdf_icon

IXGT25N250HV

VCES = 1600 V IXGH 25N160 High Voltage IGBT IC25 = 75 A IXGT 25N160 VCE(sat)= 2.5 V For Capacitor Discharge Applications Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 1600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1600 V VGES Continuous 20 V G C C (TAB) VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C 75 A TO-268 (IXGT) IC110

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXYL60N450 , IXYP10N65C3 , IXYP10N65C3D1 , IXYP10N65C3D1M , IXYP15N65C3 , IXYP15N65C3D1 , IXYP15N65C3D1M , IXGR72N60C3 , GT30F133 , IXGT6N170AHV , IXGX50N60AU1S , IXXA30N65C3HV , IXXR100N60B3H1 , IXXR110N60B4H1 , IXXR110N65B4H1 , IXYA15N65C3D1 , IXYA20N120C3HV .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.