Справочник IGBT. IXGT25N250HV

 

IXGT25N250HV - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGT25N250HV
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 233 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 75 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 75 nC
   Тип корпуса: TO268-2L

 Аналог (замена) для IXGT25N250HV

 

 

IXGT25N250HV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  ixys
 ixgt25n250hv.pdf

IXGT25N250HV IXGT25N250HV

Advance Technical InformationVCES = 2500VHigh Voltage IGBT IXGT25N250HVIC110 = 25AFor Capacitor DischargeApplicationsVCE(sat) 2.9VTO-268GESymbol Test Conditions Maximum RatingsC (Tab)VCES TJ = 25C to 150C 2500 VG = Gate C = CollectorVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 2500 VE = Emiiter Tab = CollectorVGES Continuous 20 VVGEM Tra

 4.1. Size:173K  ixys
 ixgt25n250.pdf

IXGT25N250HV IXGT25N250HV

Preliminary Technical InformationIXGH25N250 VCES = 2500 VHigh Voltage IGBTIXGT25N250 IC25 = 60 AFor Capacitor DischargeApplications IXGV25N250S VCE(sat) 2.9 VTO-247 (IXGH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 150C 2500 V CC (TAB)EVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 2500 VVGES Continuous 20 VTO-268 (IXGT)VGEM Transi

 7.1. Size:138K  ixys
 ixgt25n160.pdf

IXGT25N250HV IXGT25N250HV

VCES = 1600 VIXGH 25N160High Voltage IGBTIC25 = 75 AIXGT 25N160VCE(sat)= 2.5 VFor Capacitor DischargeApplicationsPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 1600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1600 VVGES Continuous 20 VGC C (TAB)VGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C 75 ATO-268 (IXGT)IC110

 7.2. Size:142K  ixys
 ixgh25n160 ixgt25n160.pdf

IXGT25N250HV IXGT25N250HV

VCES = 1600 VIXGH 25N160High Voltage IGBTIC25 = 75 AIXGT 25N160VCE(sat)= 2.5 VFor Capacitor DischargeApplicationsPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 1600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1600 VVGES Continuous 20 VGC C (TAB)VGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C 75 ATO-268 (IXGT)IC110

Другие IGBT... IXYL60N450 , IXYP10N65C3 , IXYP10N65C3D1 , IXYP10N65C3D1M , IXYP15N65C3 , IXYP15N65C3D1 , IXYP15N65C3D1M , IXGR72N60C3 , CRG75T60AK3HD , IXGT6N170AHV , IXGX50N60AU1S , IXXA30N65C3HV , IXXR100N60B3H1 , IXXR110N60B4H1 , IXXR110N65B4H1 , IXYA15N65C3D1 , IXYA20N120C3HV .

 

 
Back to Top