IXGX50N60AU1S - аналоги и описание IGBT

 

IXGX50N60AU1S - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGX50N60AU1S

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 210 nS

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXGX50N60AU1S

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGX50N60AU1S даташит

 ..1. Size:136K  ixys
ixgx50n60au1s.pdfpdf_icon

IXGX50N60AU1S

Preliminary data HiPerFASTTM IXGX50N60AU1 VCES = 600 V IGBT with Diode IXGX50N60AU1S IC25 = 75 A VCE(sat) = 2.7 V Combi Pack tfi = 275 ns TO-247 Hole-less SMD (50N60AU1S) Symbol Test Conditions Maximum Ratings C (TAB) G VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V E VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V TO-247 Hole-less (50N60AU1) VGEM Transient 30 V IC25 TC

 2.1. Size:136K  ixys
ixgx50n60au1.pdfpdf_icon

IXGX50N60AU1S

Preliminary data HiPerFASTTM IXGX50N60AU1 VCES = 600 V IGBT with Diode IXGX50N60AU1S IC25 = 75 A VCE(sat) = 2.7 V Combi Pack tfi = 275 ns TO-247 Hole-less SMD (50N60AU1S) Symbol Test Conditions Maximum Ratings C (TAB) G VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V E VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V TO-247 Hole-less (50N60AU1) VGEM Transient 30 V IC25 TC

 4.1. Size:121K  ixys
ixgx50n60a2d1.pdfpdf_icon

IXGX50N60AU1S

Advance Technical Data IXGK50N60A2D1 VCES = 600 V IGBT with Diode IXGX 50N60A2D1 IC25 = 75 A VCE(sat) = 1.4 V Low Saturation Voltage Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 (IXGK) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V (TAB) G C VGES Continuous 20 V E VGEM Transient 30 V PLUS247 IC25 TC = 25 C (limited by leads) 75 A (IXGX) I

 4.2. Size:143K  ixys
ixgk50n60a2u1 ixgx50n60a2u1.pdfpdf_icon

IXGX50N60AU1S

Advance Technical Information IXGK 50N60A2U1 VCES = 600 V IGBT with Diode IXGX 50N60A2U1 IC25 = 75 A VCE(sat) = 1.6 V Low Saturation Voltage IGBT with Low Forward Drop Diode Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 (IXGK) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V (TAB) G C E VGES Continuous 20 V VGEM Transient

Другие IGBT... IXYP10N65C3D1 , IXYP10N65C3D1M , IXYP15N65C3 , IXYP15N65C3D1 , IXYP15N65C3D1M , IXGR72N60C3 , IXGT25N250HV , IXGT6N170AHV , TGAN20N135FD , IXXA30N65C3HV , IXXR100N60B3H1 , IXXR110N60B4H1 , IXXR110N65B4H1 , IXYA15N65C3D1 , IXYA20N120C3HV , IXYA20N65B3 , IXYA20N65C3 .

History: IXXR100N60B3H1 | IXYL60N450 | STGF7NC60KD | IXYA20N120C3HV | IXXR110N65B4H1

 

 

 


 
↑ Back to Top
.