Справочник IGBT. IXGX50N60AU1S

 

IXGX50N60AU1S - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGX50N60AU1S
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 210 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 200 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXGX50N60AU1S

 

 

IXGX50N60AU1S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  ixys
 ixgx50n60au1s.pdf

IXGX50N60AU1S IXGX50N60AU1S

Preliminary dataHiPerFASTTM IXGX50N60AU1 VCES = 600 VIGBT with Diode IXGX50N60AU1S IC25 = 75 AVCE(sat) = 2.7 VCombi Pack tfi = 275 nsTO-247 Hole-less SMD(50N60AU1S)Symbol Test Conditions Maximum RatingsC (TAB)GVCES TJ = 25C to 150C 600 VEVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VTO-247 Hole-less(50N60AU1)VGEM Transient 30 VIC25 TC

 2.1. Size:136K  ixys
 ixgx50n60au1.pdf

IXGX50N60AU1S IXGX50N60AU1S

Preliminary dataHiPerFASTTM IXGX50N60AU1 VCES = 600 VIGBT with Diode IXGX50N60AU1S IC25 = 75 AVCE(sat) = 2.7 VCombi Pack tfi = 275 nsTO-247 Hole-less SMD(50N60AU1S)Symbol Test Conditions Maximum RatingsC (TAB)GVCES TJ = 25C to 150C 600 VEVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VTO-247 Hole-less(50N60AU1)VGEM Transient 30 VIC25 TC

 4.1. Size:121K  ixys
 ixgx50n60a2d1.pdf

IXGX50N60AU1S IXGX50N60AU1S

Advance Technical DataIXGK50N60A2D1 VCES = 600 VIGBT with DiodeIXGX 50N60A2D1IC25 = 75 AVCE(sat) = 1.4 VLow Saturation VoltageSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264(IXGK)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 V (TAB)GCVGES Continuous 20 VEVGEM Transient 30 VPLUS247IC25 TC = 25C (limited by leads) 75 A (IXGX)I

 4.2. Size:143K  ixys
 ixgk50n60a2u1 ixgx50n60a2u1.pdf

IXGX50N60AU1S IXGX50N60AU1S

Advance Technical InformationIXGK 50N60A2U1 VCES = 600 VIGBT with DiodeIXGX 50N60A2U1IC25 = 75 AVCE(sat) = 1.6 VLow Saturation Voltage IGBTwith Low Forward Drop DiodePreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264(IXGK)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 V (TAB)GCEVGES Continuous 20 VVGEM Transient

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top