Справочник IGBT. HGTP10N40F1D

 

HGTP10N40F1D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HGTP10N40F1D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 35 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 13.4 nC
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для HGTP10N40F1D

 

 

HGTP10N40F1D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:293K  1
 hgtp10n40f1d hgtp10n50f1d.pdf

HGTP10N40F1D HGTP10N40F1D

 4.1. Size:43K  harris semi
 hgtp10n40f.pdf

HGTP10N40F1D HGTP10N40F1D

HGTP10N40F1D,S E M I C O N D U C T O RHGTP10N50F1D10A, 400V and 500V N-Channel IGBTswith Anti-Parallel Ultrafast DiodesApril 1995Features PackageJEDEC TO-220AB 10A, 400V and 500V Latch Free OperationEMITTER Typical Fall Time

 5.1. Size:333K  1
 hgth12n40c1 hgth12n40e1 hgth12n50c1 hgth12n50e1 hgtm12n40c1 hgtm12n40e1 hgtm12n50c1 hgtm12n50e1 hgtp10n40c1 hgtp10n40e1 hgtp10n50c1 hgtp10n50e1.pdf

HGTP10N40F1D HGTP10N40F1D

 5.2. Size:49K  1
 hgth12n40c1 hgth12n40e1 hgth12n50c1 hgth12n50e1 hgtp10n40c1 hgtp10n40e1 hgtp10n50c1 hgtp10n50e1.pdf

HGTP10N40F1D HGTP10N40F1D

HGTP10N40C1, 40E1, 50C1, 50E1,S E M I C O N D U C T O R HGTH12N40C1, 40E1, 50C1, 50E110A, 12A,400V and 500V N-Channel IGBTsApril 1995Features PackagesHGTH-TYPES JEDEC TO-218AC 10A and 12A, 400V and 500VEMITTER VCE(ON): 2.5V Max.COLLECTOR TFI: 1s, 0.5sGATECOLLECTOR(FLANGE) Low On-State Voltage Fast Switching Speeds High Input Impedance

 5.3. Size:47K  harris semi
 hgtp10n40c1d hgtp10n40e1d hgtp10n50c1d hgtp10n50e1d.pdf

HGTP10N40F1D HGTP10N40F1D

HGTP10N40C1D, HGTP10N40E1D,S E M I C O N D U C T O RHGTP10N50C1D, HGTP10N50E1D10A, 400V and 500V N-Channel IGBTswith Anti-Parallel Ultrafast DiodesApril 1995Features PackageJEDEC TO-220AB 10A, 400V and 500V VCE(ON): 2.5V Max.EMITTERCOLLECTOR TFALL: 1s, 0.5sGATE Low On-State VoltageCOLLECTOR Fast Switching Speeds(FLANGE) High Input Impeda

Другие IGBT... HGTH12N50E1D , HGTM12N40C1 , HGTM12N40E1 , HGTP10N120BN , HGTP10N40C1 , HGTP10N40C1D , HGTP10N40E1 , HGTP10N40E1D , RJP30H2A , HGTP10N50C1 , HGTP10N50C1D , HGTP10N50E1 , HGTP10N50E1D , HGTP10N50F1D , HGTP11N120CN , HGTM12N50C1 , HGTM12N50E1 .

 

 
Back to Top