RGT60TS65D - аналоги и описание IGBT

 

RGT60TS65D - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: RGT60TS65D

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 97 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 72 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для RGT60TS65D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RGT60TS65D даташит

 ..1. Size:745K  rohm
 rgt60ts65d.pdf pdf_icon

RGT60TS65D

RGT60TS65D 650V 30A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline TO-247N VCES 650V IC(100 C) 30A VCE(sat) (Typ.) 1.65V PD 194W (1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) Low Switching Loss (2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5 s (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD *1 Built i

Другие IGBT... ISL9V3040P3 , ISL9V3040S3 , RGT00TS65D , RGT16NS65D , RGT30NS65D , RGT40NS65D , RGT40TS65D , RGT50TS65D , FGW75N60HD , RGT80TS65D , RGT8BM65D , RGT8NS65D , RGTH00TS65 , RGTH00TS65D , RGTH40TS65 , RGTH40TS65D , RGTH50TS65 .

History: RGTH40TS65D | IXYA20N65C3

 

 

 


 
↑ Back to Top
.