Справочник IGBT. RGT60TS65D

 

RGT60TS65D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RGT60TS65D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 97 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 72 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 58 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для RGT60TS65D

 

 

RGT60TS65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:745K  rohm
 rgt60ts65d.pdf

RGT60TS65D RGT60TS65D

RGT60TS65D 650V 30A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline TO-247NVCES650VIC(100C)30AVCE(sat) (Typ.)1.65VPD194W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) Low Switching Loss(2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Built i

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top