RGT8NS65D - аналоги и описание IGBT

 

RGT8NS65D - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: RGT8NS65D

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 4 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 14 pF

Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для RGT8NS65D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RGT8NS65D даташит

 ..1. Size:735K  rohm
 rgt8ns65d.pdf pdf_icon

RGT8NS65D

RGT8NS65D 650V 4A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline LPDS (TO-263S) VCES 650V (2) IC(100 C) 4A VCE(sat) (Typ.) 1.65V (1) (3) PD 65W lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) Low Switching Loss (2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5 s (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD *

Другие IGBT... RGT16NS65D , RGT30NS65D , RGT40NS65D , RGT40TS65D , RGT50TS65D , RGT60TS65D , RGT80TS65D , RGT8BM65D , IRG7S313U , RGTH00TS65 , RGTH00TS65D , RGTH40TS65 , RGTH40TS65D , RGTH50TS65 , RGTH50TS65D , RGTH60TS65 , RGTH60TS65D .

History: RGTH00TS65 | ISL9V3040S3

 

 

 


 
↑ Back to Top
.